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Processo dei semiconduttori processo completo di fotolitografia
da admin il 24-07-16
La produzione di ogni prodotto semiconduttore richiede centinaia di processi. Suddividiamo l'intero processo produttivo in otto fasi: lavorazione dei wafer, ossidazione, fotolitografia, incisione, deposizione di film sottili, crescita epitassiale, diffusione e impiantazione ionica. Per aiutarvi...
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4 miliardi! SK Hynix annuncia un investimento nel packaging avanzato dei semiconduttori presso il Purdue Research Park
da admin il 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. ha annunciato l'intenzione di investire quasi 4 miliardi di dollari per costruire un impianto avanzato di produzione di packaging e di ricerca e sviluppo per prodotti di intelligenza artificiale presso il Purdue Research Park. Costituendo un anello chiave nella catena di fornitura di semiconduttori statunitense a West Lafayette...
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La tecnologia laser guida la trasformazione della tecnologia di lavorazione dei substrati in carburo di silicio
da admin il 24-07-08
1. Panoramica della tecnologia di lavorazione del substrato in carburo di silicio Le attuali fasi di lavorazione del substrato in carburo di silicio includono: rettifica del cerchio esterno, affettatura, smussatura, molatura, lucidatura, pulizia, ecc. L'affettatura è una fase importante nella produzione del substrato semiconduttore...
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Materiali per campi termici tradizionali: materiali compositi C/C
da admin il 24-07-01
I compositi carbonio-carbonio sono un tipo di compositi in fibra di carbonio, con la fibra di carbonio come materiale di rinforzo e il carbonio depositato come materiale di matrice. La matrice dei compositi C/C è in carbonio. Essendo composta quasi interamente da carbonio elementare, ha un'eccellente resistenza alle alte temperature.
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Tre tecniche principali per la crescita dei cristalli di SiC
da admin il 24-07-01
Come mostrato in Figura 3, esistono tre tecniche dominanti che mirano a fornire monocristalli di SiC di elevata qualità ed efficienza: l'epitassia in fase liquida (LPE), il trasporto fisico da vapore (PVT) e la deposizione chimica da vapore ad alta temperatura (HTCVD). Il PVT è un processo consolidato per la produzione di monocristalli di SiC...
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Breve introduzione alla tecnologia semiconduttrice GaN di terza generazione e alla relativa tecnologia epitassiale
da admin il 24-06-28
1. Semiconduttori di terza generazione. La tecnologia dei semiconduttori di prima generazione è stata sviluppata sulla base di materiali semiconduttori come Si e Ge. Costituisce la base per lo sviluppo dei transistor e della tecnologia dei circuiti integrati. I materiali semiconduttori di prima generazione hanno gettato le basi...
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23,5 miliardi, il super unicorno di Suzhou sta per quotarsi in borsa
da admin il 24-06-28
Dopo 9 anni di attività imprenditoriale, Innoscience ha raccolto finanziamenti per oltre 6 miliardi di yuan e la sua valutazione ha raggiunto l'incredibile cifra di 23,5 miliardi di yuan. L'elenco degli investitori è lungo quanto decine di aziende: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...
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In che modo i prodotti rivestiti in carburo di tantalio migliorano la resistenza alla corrosione dei materiali?
da admin il 24-06-25
Il rivestimento in carburo di tantalio è una tecnologia di trattamento superficiale comunemente utilizzata che può migliorare significativamente la resistenza alla corrosione dei materiali. Il rivestimento in carburo di tantalio può essere applicato alla superficie del substrato attraverso diversi metodi di preparazione, come la deposizione chimica da vapore, la deposizione fisica...
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Introduzione al semiconduttore GaN di terza generazione e alla relativa tecnologia epitassiale
da admin il 24-06-25
1. Semiconduttori di terza generazione. La tecnologia dei semiconduttori di prima generazione è stata sviluppata sulla base di materiali semiconduttori come Si e Ge. Costituisce la base per lo sviluppo dei transistor e della tecnologia dei circuiti integrati. I materiali semiconduttori di prima generazione hanno posto le basi...
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