실리콘 카바이드(SiC) 에피택셜 웨이퍼

VET 에너지의 탄화규소(SiC) 에피택셜 웨이퍼는 뛰어난 고온 저항성, 고주파수 및 고전력 특성을 갖춘 고성능 와이드 밴드갭 반도체 소재입니다. 차세대 전력 전자 소자에 이상적인 기판입니다. VET 에너지는 첨단 MOCVD 에피택셜 기술을 사용하여 SiC 기판에 고품질 SiC 에피택셜층을 성장시켜 웨이퍼의 탁월한 성능과 균일성을 보장합니다.

당사의 실리콘 카바이드(SiC) 에피택셜 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판 등 다양한 반도체 소재와 탁월한 호환성을 제공합니다. 견고한 에피택셜층을 통해 에피 웨이퍼 성장 및 산화갈륨(Ga2O3), AlN 웨이퍼 등의 소재와의 통합과 같은 첨단 공정을 지원하여 다양한 기술 분야에서 다재다능하게 활용할 수 있습니다. 산업 표준 카세트 핸들링 시스템과 호환되도록 설계되어 반도체 제조 환경에서 효율적이고 간소화된 운영을 보장합니다.

VET Energy의 제품 라인은 SiC 에피택셜 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판, Epi 웨이퍼 등 광범위한 반도체 기판 소재를 제공합니다. 또한, 미래 전력 전자 산업의 고성능 소자 수요를 충족하기 위해 산화갈륨(Ga₂O₃) 및 AlN 웨이퍼와 같은 새로운 와이드 밴드갭 반도체 소재 개발에도 적극적으로 나서고 있습니다.