Pala Cantilever SiC Provecta ad Wafer Processing

Pala Cantilever SiC Provecta ad Laminas Tractandas (vel Crustulas) Imago Praecipua

Descriptio Brevis:

Pala cantileveris provecta SiC ad laminas tractandas, a vet-china emissa, materiis SiC technologiae provectae utitur ad efficientiam et praecisionem tractationis laminarum augendam. Pala cantileveris Vet-chinae praeclaram resistentiam caloris et corrosionis praebet, stabilem tractationem laminarum in asperis condicionibus fabricationis praestans, eamque electionem idealem ad proventum productionis augendum facit.

Mitte nobis inscriptionem electronicam Deprime ut PDF

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

ProvectusRemus Cantilever SiCA Vet-China creatum ad Wafer Processing solutionem optimam ad fabricationem semiconductorum praebet. Haec pala cantilever ex materia SiC (carburo silicii) facta est, et eius alta durities et resistentia caloris efficiunt ut praeclaram functionem in altis temperaturis et ambitus corrosivos servet. Designatio Palae Cantilever permittit ut lamina certo modo sustineatur durante processu, periculum fragmentationis et damni minuens.

Remus Cantilever SiCest pars specialis adhibita in apparatu fabricationis semiconductorum, ut in fornace oxidationis, fornace diffusionis, et fornace recoctionis; usus principalis est ad onerandum et exonerandum laminas, sustentandas et transportandas laminas per processus altae temperaturae.

Structurae communesdeSiCcantilevpconfundere: Structura cantilever, uno extremo fixa et altero libera, typice formam planam et remuli similem habet.

VET Energy materias carburi silicii recrystallizatas altae puritatis adhibet ad qualitatem confirmandam.

Proprietates physicae carburi silicii recrystallizati
Possessio	Valor Typicus
Temperatura operandi (°C)	1600°C (cum oxygenio), 1700°C (ambitu reducente)
Contentum SiC	> 99.96%
Contenta gratuita Si	< 0.1%
Densitas massae	2.60-2.70 g/cm³³
Porositas apparens	< 16%
Robur compressionis	> 600MPa
Robur flexionis frigidae	80-90 MPa (20°C)
Robur flexionis calidae	90-100 MPa (1400°C)
Expansio thermalis @1500°C	4.70 10^-6/°C
Conductivitas thermalis @1200°C	XXIIIW/m•K
Modulus elasticus	240 GPa
Resistentia ad ictum thermalem	Optime