Carburum silicii reactione-sinterizatum est materia magni momenti ad temperaturas altas sustinendas, magna robore, alta duritie, alta resistentia attritionis, alta resistentia corrosionis et alta resistentia oxidationis aliisque proprietatibus excellentibus praedita, late in machinis, industria aëronautica, industria chemica, energia, aliisque campis adhibetur.
1. Praeparatio materiae rudis
Praeparatio materiarum crudarum carburi silicii e sinterizatione reactiva adhibetur praecipue ex carbone et pulvere silicii, ex quibus carbonio uti licet variis substantiis carbonibus continentibus, ut carbonibus coctis, graphitis, carbo, et cetera. Pulvis silicii plerumque eligitur cum magnitudine particularum 1-5 μm, pulvis silicii altae puritatis. Primo, carbone et pulvis silicii certa proportione miscentur, addendo quantitatem idoneam glutinosorum et fluidorum, et aequaliter agitando. Deinde mixtura in molam globulorum immittitur ad molendum globulos, ut ulterius uniformiter misceatur et moleatur, donec magnitudo particularum minor sit quam 1 μm.
2. Processus fingendi
Processus fingendi est unus e gradibus clavis in fabricatione carburi silicii. Processus fingendi vulgo adhibiti sunt formatio per pressionem, formatio per iniectionem cementitiam, et formatio statica. Formatio per pressionem significat mixturam in formam immitti et pressione mechanica formari. Formatio per iniectionem cementitiam significat miscere mixturam cum aqua vel solvente organico, iniicere eam in formam per syringam sub condicionibus vacui, et formare productum perfectum post quiescendi tempus. Formatio per pressionem staticam significat mixturam in formam immittere, sub protectione vacui vel atmosphaerae ad formationem per pressionem staticam, plerumque sub pressione 20-30MPa.
3. Processus sinterizationis
Sinterizatio est gradus clavis in processu fabricationis carburi silicii reactione sinterizati. Temperatura sinterizationis, tempus sinterizationis, atmosphaera sinterizationis, aliique factores efficaciam carburi silicii reactione sinterizati afficiunt. Generaliter, temperatura sinterizationis carburi silicii reactione sinterizati inter 2000-2400℃ est, tempus sinterizationis plerumque 1-3 horae est, et atmosphaera sinterizationis plerumque iners est, ut argon, nitrogenium, et cetera. Per sinterizationem, mixtura reactionem chemicam subibit ad crystallos carburi silicii formandos. Simul, carbonium etiam cum gasibus in atmosphaera reaget ad gases ut CO et CO2 producendos, quod densitatem et proprietates carburi silicii afficit. Ergo, atmosphaeram sinterizationis et tempus sinterizationis idoneos conservare magni momenti est ad fabricationem carburi silicii reactione sinterizati.
4. Processus post curationem
Carburum silicii reactione-sinterizatum processum post-tractationis post fabricationem requirit. Processus post-tractationis communes sunt machinatio, trituratio, politura, oxidatio, et cetera. Hi processus ad praecisionem et qualitatem superficiei carburi silicii reactione-sinterizati emendandam destinantur. Inter eos, processus triturationis et politurae methodus processus communis est, quae superficiem et planitiem superficiei carburi silicii emendare potest. Processus oxidationis stratum oxidi formare potest ad resistentiam oxidationis et stabilitatem chemicam carburi silicii reactione-sinterizati augendam.
Breviter, fabricatio carburi silicii per sinterizationem reactivam processus complexus est, qui varias technologias et processus perfici requirit, inter quos praeparatio materiae rudis, processus formationis, processus sinterizationis, et processus post-tractationis. Solum per plenam peritiam harum technologiarum et processuum, materiae carburi silicii per sinterizationem reactionis altae qualitatis produci possunt, quae necessitatibus variorum camporum applicationis satisfaciant.
Tempus publicationis: VI Iul. MMXXIII