SiC облога со графит MOCVD носачи на плочка, графитни сусцептори за SiC епитаксија

SiC облога графит MOCVD носачи на плочки, графитни сусцептори за SiC епитаксија Претставена слика

Краток опис:

SiC премачкувањето на графитна подлога за полупроводнички апликации произведува дел со супериорна чистота и отпорност на оксидирачка атмосфера. CVD SiC или CVI SiC се нанесува на графит од делови со едноставен или сложен дизајн. Премачкувањето може да се нанесе во различни дебелини и на многу големи делови.

Место на потекло:Жеџијанг, Кина (континентална)

Број на модел:Број на модел:

Хемиски состав:Графит обложен со SiC

Јачина на свиткување:470Mpa

Топлинска спроводливост:300 W/mK

Квалитет:Совршен

Функција:CVD-SiC

Апликација:Полупроводнички / Фотоволтаични

Густина:3,21 г/куб. см

Термичка експанзија:4 10-6/К

Пепел: <5 ppm

Пример:Достапно

HS код:6903100000

Испратете ни е-пошта Преземи како PDF

Детали за производот

Ознаки на производи

SiC облога графит MOCVD носачи на плочи, графитни суспектори заSiC епитаксија,
Јаглеродот снабдува сусцептори, Графитни епитаксиски сусцептори, Графитни подлоги за поддршка, MOCVD сусцептор, SiC епитаксија, Ваферски сусцептори,

Посебни предности на нашите графитни сусцептори обложени со SiC вклучуваат исклучително висока чистота, хомогена обвивка и одличен век на траење. Тие исто така имаат висока хемиска отпорност и својства на термичка стабилност.

SiC премачкувањето на графитна подлога за полупроводнички апликации произведува дел со супериорна чистота и отпорност на оксидирачка атмосфера.
CVD SiC или CVI SiC се нанесува на графит на делови со едноставен или сложен дизајн. Премачкувањето може да се нанесе во различни дебелини и на многу големи делови.

SiC облога/обложен MOCVD сусцептор

Карактеристики:
· Одлична отпорност на термички шокови
· Одлична отпорност на физички удари
· Одлична хемиска отпорност
· Супер висока чистота
· Достапност во комплексен облик
· Може да се користи во оксидирачка атмосфера

Апликација:

Типични својства на основниот графитен материјал:

Привидна густина:	1,85 g/cm3
Електричен отпор:	11 μΩm
Свиткување на јачина:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Тврдост на брегот:	58
Пепел:	<5 ppm
Топлинска спроводливост:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Јаглеродот снабдува сусцептории графитни компоненти за сите тековни епитакси реактори. Нашето портфолио вклучува цилиндрични сусцептори за применети и LPE единици, сусцептори во облик на палачинка за LPE, CSD и Gemini единици и сусцептори со еден вафер за применети и ASM единици. Со комбинирање на силни партнерства со водечки производители на оригинална опрема (OEM), експертиза за материјали и знаење за производство, SGL нуди оптимален дизајн за вашата апликација.