SiC-coating op grafiet MOCVD-waferdragers, grafietsusceptoren voor SiC-epitaxie

Korte beschrijving:

SiC-coating van grafietsubstraten voor halfgeleidertoepassingen levert een onderdeel op met een superieure zuiverheid en weerstand tegen oxiderende atmosferen. CVD SiC of CVI SiC wordt aangebracht op grafiet voor zowel eenvoudige als complexe ontwerpen. De coating kan in verschillende diktes worden aangebracht en is geschikt voor zeer grote onderdelen.

Plaats van herkomst:Zhejiang, China (vasteland)

Modelnummer:Modelnummer:

Chemische samenstelling:SiC-gecoate grafiet

Buigsterkte:470 MPa

Thermische geleidbaarheid:300 W/mK

Kwaliteit:Perfect

Functie:CVD-SiC

Sollicitatie:Halfgeleiders / Fotovoltaïsche cellen

Dikte:3,21 g/cc

Thermische uitzetting:4 10-6/K

As: <5 ppm

Steekproef:Beschikbaar

HS-code:6903100000

Stuur ons een e-mail. Downloaden als PDF

Productdetails

Productlabels

SiC-coating grafiet MOCVD-waferdragers, grafietsusceptoren voorSiC-epitaxie,
Koolstof levert susceptoren, Grafietepitaxie-susceptoren, Grafietdragersubstraten, MOCVD-receptor, SiC-epitaxie, Wafer-susceptoren,

De bijzondere voordelen van onze met SiC gecoate grafietsusceptoren zijn de extreem hoge zuiverheid, de homogene coating en de uitstekende levensduur. Ze beschikken bovendien over een hoge chemische bestendigheid en thermische stabiliteit.

De SiC-coating van een grafietsubstraat voor halfgeleidertoepassingen levert een onderdeel op met een superieure zuiverheid en weerstand tegen oxiderende atmosferen.
CVD SiC of CVI SiC wordt aangebracht op grafiet van eenvoudige of complexe onderdelen. De coating kan in verschillende diktes worden aangebracht en is geschikt voor zeer grote onderdelen.

SiC-coating/gecoate MOCVD-susceptor

Functies:
• Uitstekende thermische schokbestendigheid
• Uitstekende fysieke schokbestendigheid
• Uitstekende chemische bestendigheid
• Superhoge zuiverheid
• Beschikbaar in complexe vormen
• Bruikbaar in een oxiderende atmosfeer

Sollicitatie:

Typische eigenschappen van basisgrafietmateriaal:

Schijnbare dichtheid:	1,85 g/cm3
Elektrische weerstand:	11 μΩm
Buigsterkte:	49 MPa (500 kgf/cm²)
Shore-hardheid:	58
As:	<5 ppm
Thermische geleidbaarheid:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Koolstof levert susceptorenen grafietcomponenten voor alle huidige epitaxie-reactoren. Ons portfolio omvat barrel-susceptors voor applied- en LPE-eenheden, pancake-susceptors voor LPE-, CSD- en Gemini-eenheden, en single-wafer-susceptors voor applied- en ASM-eenheden. Door sterke partnerschappen met toonaangevende OEM's, materiaalkennis en productie-knowhow te combineren, biedt SGL het optimale ontwerp voor uw toepassing.