Dayung Kantilever SiC Canggih pikeun Pangolahan Wafer

Dayung Cantilever SiC Canggih pikeun Pangolahan Wafer Gambar Unggulan

Pedaran Singkat:

Dayung Cantilever SiC Canggih pikeun Pangolahan Wafer anu diluncurkeun ku vet-china nganggo bahan SiC téknologi luhur pikeun ningkatkeun efisiensi sareng katepatan pamrosésan wafer. Dayung cantilever Vet-china ngagaduhan résistansi panas sareng résistansi korosi anu saé, mastikeun kinerja penanganan wafer anu stabil dina lingkungan manufaktur anu keras, jantenkeun pilihan anu idéal pikeun ningkatkeun hasil produksi.

Kirim email ka kami Unduh salaku PDF

Rincian Produk

Tag Produk

Nu MajuDayung Kantilever SiCpikeun Pangolahan Wafer anu didamel ku vet-china nyayogikeun solusi anu saé pikeun manufaktur semikonduktor. Dayung kantilever ieu didamel tina bahan SiC (silikon karbida), sareng karasana anu luhur sareng tahan panas ngamungkinkeun pikeun ngajaga kinerja anu saé dina suhu anu luhur sareng lingkungan korosif. Desain Dayung Kantilever ngamungkinkeun wafer dirojong sacara dipercaya salami pamrosésan, ngirangan résiko fragmentasi sareng karusakan.

Dayung Kantilever SiCMangrupikeun komponén khusus anu dianggo dina alat-alat manufaktur semikonduktor sapertos tungku oksidasi, tungku difusi, sareng tungku anil, panggunaan utama nyaéta pikeun ngamuat sareng ngabongkar wafer, ngadukung sareng ngangkut wafer salami prosés suhu luhur.

Struktur umumtiSiCcantileverpaddle: Struktur kantilever, anu dipasang dina hiji tungtung sareng bébas dina tungtung anu sanésna, biasana ngagaduhan desain anu datar sapertos dayung.

VET Energy nganggo bahan silikon karbida rekristalisasi anu murni sareng kualitasna luhur pikeun ngajamin kualitasna.

Sipat fisik Silikon Karbida anu Direkristalisasi
Properti	Nilai Khas
Suhu gawé (°C)	1600°C (kalayan oksigén), 1700°C (lingkungan anu ngirangan)
Eusi SiC	> 99,96%
Eusi Si gratis	< 0,1%
Kapadetan curah	2,60-2,70 g/cm³
Porositas anu katingali	< 16%
Kakuatan komprési	> 600MPa
Kakuatan lentur tiis	80-90 MPa (20°C)
Kakuatan lentur panas	90-100 MPa (1400°C)
Ékspansi termal @1500°C	4.70 10^-6/°C
Konduktivitas termal @1200°C	23W/m•K
Modulus élastis	240 GPa
Résistansi kejut termal	Saé pisan