A вафличын ярымүткәргеч чип булу өчен өч үзгәреш кичерергә тиеш: беренчедән, блок формасындагы коелма пластиналарга киселә; икенче процесста транзисторлар пластинаның алгы ягына алдагы процесс аша гравировкалана; ниһаять, төргәкләү башкарыла, ягъни кисү процессы аша,вафлитулы ярымүткәргеч чипка әйләнә. Күренгәнчә, төргәкләү процессы арткы өлеш процессына карый. Бу процесста пластина берничә алтыкырлы аерым чипка киселәчәк. Бәйсез чиплар алуның бу процессы "Сингуляция" дип атала, ә пластина тактасын бәйсез кубоидларга кисү процессы "пластина кисү (Die Sawing)" дип атала. Соңгы вакытта, ярымүткәргеч интеграциясе яхшыру белән, калынлыгывафлиларнечкәрәк һәм нечкәрәк була бара, бу, әлбәттә, "сингуляция" процессына күп кыенлыклар китерә.
Вафли ваклау эволюциясе
Алгы һәм арткы өлеш процесслары төрле юллар белән үзара бәйләнеш аша үсеш алган: арткы өлеш процессларының эволюциясе штамптан аерылган алтыкырлы кечкенә кисәкләрнең структурасын һәм урнашуын билгели ала.вафли, шулай ук пластинадагы колодкаларның (электр тоташу юллары) структурасы һәм урнашуы; киресенчә, фронт-end процессларының эволюциясе процессны һәм ысулны үзгәрттевафлиарткы өлеш процессында арткы өлешне нечкәртү һәм "формага турау". Шуңа күрә, төргәкнең тышкы кыяфәте камилләшә бару арткы өлеш процессына зур йогынты ясаячак. Моннан тыш, төргәкнең тышкы кыяфәте үзгәрүгә карап, турау саны, процедурасы һәм төре дә үзгәрәчәк.
Язучылар өчен бәяләр
Башта, тышкы көч кулланып "вату" бүлә алырлык бердәнбер ваклау ысулы идевафлиалтыкырлы калыпларга. Ләкин бу ысулның кечкенә кисәкнең кырые ватылу яки ярылу кебек кимчелекләре бар. Моннан тыш, металл өслегендәге чытырманлыклар тулысынча алынмаганлыктан, киселгән өслек тә бик тупас була.
Бу проблеманы хәл итү өчен, өслекне "вату" алдыннан, ягъни "Скрипка" кисү ысулы барлыкка килде.вафлитирәнлегенең яртысына кадәр киселә. "Скрипкалау", исеменнән күренгәнчә, пластинаның алгы ягын алдан кисү өчен импеллер куллануны аңлата. Башта 6 дюймнан кимрәк пластиналарның күбесе башта кисәкләр арасын "кисү", аннары "вату" дигән кисү ысулын кулланганнар.
Пычак белән кисү яки пычак белән кисү
"Язу" кисү ысулы әкренләп "Пычак белән турау" кисү (яки пычкы белән кисү) ысулына әверелде, бу пычакны ике яки өч тапкыр рәттән кулланып кисү ысулы. "Пычак белән" кисү ысулы "язу"дан соң "сынганда" кечкенә кисәкләрнең кабынып төшү күренешен компенсацияли ала һәм "сингуляция" процессында кечкенә кисәкләрне саклый ала. "Пычак белән" кисү алдагы "язу" кисүдән аерылып тора, ягъни "пычак белән" кискәннән соң, ул "сындыру" түгел, ә пычак белән кабат кисү. Шуңа күрә ул шулай ук "баскыч белән турау" ысулы дип тә атала.
Кисү процессында пластинаны тышкы зыяннан саклау өчен, куркынычсызрак "берләштерү"не тәэмин итү өчен, пластинага алдан пленка сөртеләчәк. "Артка тарту" процессында пленка пластинаның алгы ягына беркетеләчәк. Әмма киресенчә, "пычак" белән кисүдә пленка пластинаның арткы ягына беркетелергә тиеш. Эвтектик штамп белән бәйләү вакытында (штамп белән бәйләү, аерылган кисәкләрне PCB яки ныгытылган рамкага беркетү), арткы ягына беркетелгән пленка автоматик рәвештә төшеп кала. Кисү вакытында югары ышкылу аркасында, DI суы һәр яктан өзлексез сиптерелергә тиеш. Моннан тыш, кисәкләр яхшырак киселсен өчен, импеллерга алмаз кисәкчәләре беркетелергә тиеш. Бу вакытта кисү (пычак калынлыгы: уем киңлеге) бер төрле булырга һәм ваклау уемы киңлегеннән артмаска тиеш.
Озак вакыт дәвамында кисү иң киң кулланыла торган традицион кисү ысулы булып тора. Аның иң зур өстенлеге шунда ки, ул кыска вакыт эчендә күп санлы пластиналарны кисә ала. Ләкин, кисемнең туклану тизлеге сизелерлек арттырылса, чиплет кырыеның кабыну ихтималы артачак. Шуңа күрә, импеллерның әйләнү саны минутына якынча 30 000 тапкыр контрольдә тотылырга тиеш. Ярымүткәргеч процесс технологиясе еш кына озак вакыт туплану һәм сынау һәм хаталар аша әкрен тупланган сер икәнен күрергә мөмкин (эвтектик бәйләнеш турындагы киләсе бүлектә без кисү һәм DAF турындагы эчтәлекне тикшерәчәкбез).
Тарту алдыннан ваклап турау (DBG): кисү эзлеклелеге ысулны үзгәртте
8 дюйм диаметрлы пластинада пычак кисү башкарылганда, чиплет кырые кабырылып яки ярылып төшү турында борчылырга кирәкми. Ләкин пластина диаметры 21 дюймга кадәр артканда һәм калынлыгы бик нечкә булгач, кабырылып төшү һәм ярылу күренешләре кабат күренә башлый. Кисү процессында пластинага физик йогынтыны сизелерлек киметү өчен, DBG "тарту алдыннан ваклау" ысулы традицион кисү эзлеклелеген алыштыра. Өзлексез кисүче традицион "пычак" кисү ысулыннан аермалы буларак, DBG башта "пычак" кисү башкара, аннары чип ярылганчы арткы ягын өзлексез нечкәләтеп, пластина калынлыгын әкренләп сирәкли. DBG - алдагы "пычак" кисү ысулының яңартылган версиясе дип әйтергә мөмкин. Икенче кисүнең йогынтысын киметә алганлыктан, DBG ысулы "вафли дәрәҗәсендәге төргәкләү"дә тиз популярлашты.
Лазер белән билгеләү
Пластиналы чип масштабы пакеты (WLCSP) процессында, нигездә, лазер белән кисү кулланыла. Лазер белән кисү кабыклану һәм ярылу кебек күренешләрне киметә ала, шуның белән сыйфатлырак чиплар ала, ләкин пластина калынлыгы 100 мкм дан артык булганда, җитештерүчәнлек шактый кими. Шуңа күрә ул күбесенчә 100 мкм дан кимрәк калынлыктагы (чагыштырмача нечкә) пластиналарда кулланыла. Лазер белән кисү кремнийны пластинаның скрипка уемына югары энергияле лазер кулланып кисә. Ләкин, гадәти лазер (гадәти лазер) кисү ысулын кулланганда, пластина өслегенә алдан саклагыч пленка сөртергә кирәк. Лазер белән пластина өслеген җылыту яки нурландыру аркасында, бу физик контактлар пластина өслегендә уемнар барлыкка китерәчәк, һәм киселгән кремний кисәкләре дә өслеккә ябышачак. Күренгәнчә, традицион лазер белән кисү ысулы пластина өслеген дә турыдан-туры кисә, һәм бу яктан ул "пычак" белән кисү ысулына охшаган.
Яшерен кисү (SD) - башта пластинаның эчке өлешен лазер энергиясе белән кисү, аннары арткы өлешенә беркетелгән тасмага тышкы басым ясап, аны вату, шуның белән чипны аеру ысулы. Арткы өлешендәге тасмага басым ясалганда, тасма сузылу сәбәпле, пластина шунда ук өскә күтәреләчәк, шуның белән чипны аерачак. SDның традицион лазер кисү ысулыннан өстенлекләре: беренчедән, кремний калдыклары юк; икенчедән, керф (Kerf: скрипка уемының киңлеге) тар, шуңа күрә күбрәк чип алырга мөмкин. Моннан тыш, SD ысулы ярдәмендә кабыгу һәм ярылу күренеше шактый кимеячәк, бу кисүнең гомуми сыйфаты өчен бик мөһим. Шуңа күрә SD ысулы киләчәктә иң популяр технологиягә әйләнергә бик мөмкин.
Плазма дициплинасы
Плазма кисү - җитештерү (Fab) процессында кисү өчен плазма гравюрасын кулланучы яңа эшләнгән технология. Плазма кисү сыеклыклар урынына ярымгаз материалларын куллана, шуңа күрә әйләнә-тирә мохиткә йогынтысы чагыштырмача аз. Һәм берьюлы бөтен пластинаны кисү ысулы кулланыла, шуңа күрә "кисү" тизлеге чагыштырмача тиз. Ләкин плазма ысулы чимал буларак химик реакция газын куллана, һәм гравюра процессы бик катлаулы, шуңа күрә аның процесс агымы чагыштырмача катлаулы. Ләкин "пычак" кисү һәм лазер кисү белән чагыштырганда, плазма кисү пластина өслегенә зыян китерми, шуның белән дефектлар тизлеген киметә һәм күбрәк ватыклар ала.
Соңгы вакытта, пластина калынлыгы 30 мкм га кадәр киметелгәнлектән, һәм күп бакыр (Cu) яки түбән диэлектрик даимилекле материаллар (Low-k) кулланыла башлады. Шуңа күрә, бөрешләрне (Burr) булдырмау өчен, плазма кисү ысуллары да өстенлекле булачак. Әлбәттә, плазма кисү технологиясе дә даими үсештә. Якын киләчәктә, бер көнне, гравюра ясаганда махсус битлек кияргә кирәк булмаячак дип уйлыйм, чөнки бу плазма кисүнең төп үсеш юнәлеше.
Пластиналар калынлыгы даими рәвештә 100 мкм дан 50 мкм га, аннары 30 мкм га кадәр кимегәнлектән, бәйсез чиплар алу өчен кисү ысуллары да үзгәрә һәм "сындыру" һәм "пычак" белән кисүдән лазер белән кисү һәм плазма белән кисүгә кадәр үсә. Кисү ысулларының камилләшүе кисү процессының үз бәясен арттырса да, икенче яктан, ярымүткәргеч чип кисүдә еш очрый торган кабыклану һәм ярылу кебек теләмәгән күренешләрне сизелерлек киметү һәм пластина берәмлегенә алынган чиплар санын арттыру аркасында, бер чипның җитештерү бәясе төшү тенденциясен күрсәтте. Әлбәттә, пластина берәмлегенә алынган чиплар санының артуы ваклау урамының киңлегенең кимүе белән тыгыз бәйләнгән. Плазма белән кисү ярдәмендә "пычак" белән кисү ысулын куллану белән чагыштырганда, якынча 20% күбрәк чиплар алырга мөмкин, бу шулай ук кешеләрнең плазма белән кисүне сайлауларының төп сәбәбе. Пластиналар үсеше һәм үзгәрүе белән, чипның тышкы кыяфәте һәм төрү ысуллары белән, пластина эшкәртү технологиясе һәм DBG кебек төрле кисү процесслары да барлыкка килә.
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 10 октябре