Khay và giá đỡ wafer SiC

Khay và giá đỡ wafer SiC

Khay chứa tấm silicon carbideChức năng chính của nó là hỗ trợ và vận chuyển các tấm bán dẫn trong các quy trình xử lý nhiệt độ cao như khuếch tán, oxy hóa và ủ. Hiệu suất của nó ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng sản phẩm bán dẫn và hiệu quả sản xuất.

Thiết kế cấu trúc của thuyền đựng tấm wafer silicon carbide:
Thường có cấu trúc dạng khe hoặc dạng lược;
Nhiều khe để đặt và tách các tấm bán dẫn;
Được thiết kế để tính đến sự phân bố dòng khí, đảm bảo quá trình sưởi ấm và làm mát đồng đều;
Thích hợp cho lò nung đứng và lò nung nằm ngang;
Được thiết kế cho nhiều kích thước khác nhau như bánh wafer 3 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch, 12 inch.

Các tấm đế chứa wafer silicon carbide của VET Energy được chế tạo bằng công nghệ thiêu kết tiên tiến và được thiết kế đặc biệt để đáp ứng các yêu cầu khắt khe về vật liệu mang trong quy trình sản xuất chất bán dẫn tiên tiến. Những ưu điểm kỹ thuật vượt trội của chúng chủ yếu được thể hiện ở các khía cạnh sau:

1. Độ tinh khiết tối ưu và hàm lượng tạp chất cực thấp
Sử dụng nguyên liệu thô có độ tinh khiết cực cao, chúng tôi đảm bảo sản phẩm có hàm lượng ion kim loại cực thấp (dưới 1 ppm đối với Na, K, Fe và Ca). Sự kết tủa tối thiểu ở nhiệt độ cao giúp ngăn ngừa hiệu quả sự nhiễm bẩn trên tấm bán dẫn, đảm bảo năng suất và độ tin cậy cao của chip, biến chúng trở thành lựa chọn lý tưởng cho những ai hướng đến sự hoàn hảo trong quy trình.
2. Hiệu năng và độ ổn định tản nhiệt tuyệt vời
Giá đỡ wafer SiC của chúng tôi có độ dẫn nhiệt cực cao và khả năng chống sốc nhiệt tuyệt vời. Chúng có thể chịu được sự thay đổi nhiệt độ nhanh chóng từ nhiệt độ phòng đến 1600℃ mà không bị nứt hoặc biến dạng, đảm bảo tính lặp lại và nhất quán của quy trình, giảm đáng kể thời gian ngừng hoạt động ngoài kế hoạch do các vấn đề về giá đỡ.
3. Khả năng chống ăn mòn và độ bền cơ học vượt trội
Độ cứng cao và khả năng chống mài mòn mạnh mẽ, cùng với khả năng chống chịu đặc biệt với môi trường axit và kiềm, vượt xa thạch anh và than chì. Độ bền cơ học vượt trội của nó giúp ngăn ngừa hiệu quả sự hình thành hạt trong quá trình xử lý tự động thường xuyên, kéo dài đáng kể tuổi thọ và giảm chi phí vận hành tổng thể.
4. Thiết kế chính xác và độ ổn định tuyệt vời
Bằng cách tận dụng các công nghệ đúc và xử lý tiên tiến, chúng tôi đảm bảo mỗi khay đựng wafer đều có kích thước hình học chính xác và độ chính xác bề mặt tuyệt vời, đảm bảo khoảng cách giữa các wafer đồng đều và luồng khí ổn định.

Vệ sinh và bảo dưỡng khay đựng wafer SiC:
Cần vệ sinh thường xuyên để loại bỏ các chất bẩn tích tụ;
Sử dụng các dung dịch và phương pháp làm sạch chuyên dụng để tránh gây hư hại;