SiC Wafer kassetasy we daşaýjysy

SiC Wafer kassetasy we daşaýjysy

Silikon karbidli wafer kassetasyesasan, ýarymgeçirijili plitalaryň diffuziýa, oksidlenme we ýumşatma ýaly ýokary temperaturaly termal proseslerinde plitalary goldamak we daşamak üçin niýetlenendir. Onuň işleýşi plitalaryň önüminiň hiline we önümçilik netijeliligine gönüden-göni täsir edýär.

Kremniý karbidli wafer gaýygynyň gurluş dizaýnlary:
Adatça, ýaryk ýa-da darak ýaly gurluşa eýedir;
Waferleri goýmak we bölmek üçin köp sanly ýerler;
Gaz akymynyň paýlanyşyny göz öňünde tutup, birmeňzeş ýyladyş we sowadyş üpjün etmek üçin niýetlenen;
Dik peç we gorizontal peç üçin amatly;
3 дюйм, 4 дюйм, 6 дюйм, 8 дюйм, 12 дюйм waferler ýaly dürli ölçegler üçin niýetlenen.

“VET Energy” kompaniýasynyň kremniý karbidli wafer gaýyklary ösen sinterleme tehnologiýasyny ulanmak arkaly ýasalýar we ösen ýarymgeçiriji önümçiliginiň berk proses daşaýjy talaplaryny kanagatlandyrmak üçin ýörite işlenip düzüldi. Olaryň ýokary tehniki artykmaçlyklary, esasan, aşakdaky taraplarda öz beýanyny tapýar:

1. Iň ýokary arassalyk we örän pes hapalanma
Ultra ýokary arassa çig mallary ulanmak bilen, biz önümiň metal ionlarynyň örän pes mukdaryna eýedigini üpjün edýäris (Na, K, Fe we Ca üçin 1 ppm-den az). Ýokary temperaturada minimal ýagyş plastilin hapalanmagynyň öňüni netijeli alýar, ýokary çip çykaryşyny we ygtybarlylygyny üpjün edýär, bu bolsa olary prosesiň kämilligine ymtylýanlar üçin ideal saýlawa öwürýär.
2. Ajaýyp Termal Işleýiş we Durnuklylyk
Biziň SiC wafer gaýygymyz örän ýokary ýylylyk geçirijiligine we ajaýyp ýylylyk şokuna garşylyga eýedir. Olar otagyň temperaturasyndan 1600℃-a çenli çalt temperatura üýtgemelerine çydap, çatlamazdan ýa-da deformasiýa bolmazdan, prosesiň gaýtalanmagyny we yzygiderliligini üpjün edip, daşaýjylar bilen bagly meseleler sebäpli meýilleşdirilmedik işden çykma wagtyny ep-esli azaldýar.
3. Ajaýyp korroziýa garşylygy we mehaniki berklik
Ýokary berklik we güýçli aşynma garşylygy, şeýle hem kislotaly we gidroksidi gurşawlara ajaýyp garşylyk bilen birlikde, kwartsdan we grafitden has öňe geçýär. Onuň ajaýyp mehaniki güýji ýygy-ýygydan awtomatlaşdyrylan işleme wagtynda bölejikleriň döremeginiň öňüni netijeli alýar, hyzmat ömrüni ep-esli uzaldýar we umumy işleýiş çykdajylaryny azaldýar.
4. Takyk dizaýn we ajaýyp yzygiderlilik
Öňdebaryjy galyplama we gaýtadan işlemek tehnologiýalaryny ulanyp, biz her bir wafer gaýygynyň takyk geometrik ölçeglerine we ajaýyp ýüz takyklygyna eýe bolmagyny üpjün edýäris, waferleriň deň aralygyny we durnukly howa akymyny üpjün edýäris.

SiC wafer gaýygynyň arassalaýyş we tehniki hyzmaty:
Potensial çökündileri aýyrmak üçin yzygiderli arassalamak gerek;
Zyýan ýetmezçiliginiň öňüni almak üçin ýöriteleşdirilen arassalaýjy erginleri we usullary ulanýar;