Wafer di silicone di alta purezza di 8 pollici

Descrizzione corta:

I wafer di siliciu di 8 pollici di alta purezza di VET Energy sò a vostra scelta ideale per a fabricazione di semiconduttori. Fabbricati cù tecnulugia avanzata, questi wafer anu una qualità cristallina eccellente è una planarità superficiale, chì li rende adatti per a fabricazione di una varietà di dispositivi microelettronici.


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I wafer di siliciu di 8 pollici di VET Energy sò largamente aduprati in l'elettronica di putenza, i sensori, i circuiti integrati è altri campi. Cum'è capimachja in l'industria di i semiconduttori, simu impegnati à furnisce prudutti di wafer di siliciu di alta qualità per risponde à i bisogni crescenti di i nostri clienti.

In più di Si Wafer, VET Energy furnisce ancu una vasta gamma di materiali di substratu semiconduttori, cumpresi SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, ecc. A nostra linea di prudutti copre ancu novi materiali semiconduttori à banda larga cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer, furnendu un forte supportu per u sviluppu di dispositivi elettronichi di putenza di prossima generazione.

VET Energy hà apparecchiature di pruduzzione avanzate è un sistema cumpletu di gestione di a qualità per assicurà chì ogni wafer rispetti i standard industriali rigorosi. I nostri prudutti ùn anu micca solu eccellenti proprietà elettriche, ma anu ancu una bona resistenza meccanica è stabilità termica.

VET Energy furnisce à i clienti suluzioni di wafer persunalizate, cumprese wafer di diverse dimensioni, tipi è concentrazioni di doping. Inoltre, furnimu ancu supportu tecnicu prufessiunale è serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati durante u prucessu di pruduzzione.

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SPECIFICHE DI WAFERING

*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante

Articulu

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arcu (GF3YFCD) - Valore Assolutu

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2 μm

Bordu di a cialda

Bisellatura

FINITURA DI A SUPERFICIE

*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante

Articulu

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

Finitura di a superficia

Lucidatura Ottica à Doppiu Latu, Si-Face CMP

Rugosità di a superficia

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips di bordu

Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥0.5mm)

Rientri

Nisunu permessu

Graffii (Si-Face)

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Crepe

Nisunu permessu

Esclusione di u bordu

3mm

tech_1_2_size
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