I wafer di siliciu di 8 pollici di VET Energy sò largamente aduprati in l'elettronica di putenza, i sensori, i circuiti integrati è altri campi. Cum'è capimachja in l'industria di i semiconduttori, simu impegnati à furnisce prudutti di wafer di siliciu di alta qualità per risponde à i bisogni crescenti di i nostri clienti.
In più di Si Wafer, VET Energy furnisce ancu una vasta gamma di materiali di substratu semiconduttori, cumpresi SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, ecc. A nostra linea di prudutti copre ancu novi materiali semiconduttori à banda larga cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer, furnendu un forte supportu per u sviluppu di dispositivi elettronichi di putenza di prossima generazione.
VET Energy hà apparecchiature di pruduzzione avanzate è un sistema cumpletu di gestione di a qualità per assicurà chì ogni wafer rispetti i standard industriali rigorosi. I nostri prudutti ùn anu micca solu eccellenti proprietà elettriche, ma anu ancu una bona resistenza meccanica è stabilità termica.
VET Energy furnisce à i clienti suluzioni di wafer persunalizate, cumprese wafer di diverse dimensioni, tipi è concentrazioni di doping. Inoltre, furnimu ancu supportu tecnicu prufessiunale è serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati durante u prucessu di pruduzzione.
SPECIFICHE DI WAFERING
*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante
| Articulu | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arcu (GF3YFCD) - Valore Assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Bordu di a cialda | Bisellatura | ||||
FINITURA DI A SUPERFICIE
*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante
| Articulu | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| Finitura di a superficia | Lucidatura Ottica à Doppiu Latu, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Chips di bordu | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥0.5mm) | ||||
| Rientri | Nisunu permessu | ||||
| Graffii (Si-Face) | Qtà.≤5, Cumulativu | Qtà.≤5, Cumulativu | Qtà.≤5, Cumulativu | ||
| Crepe | Nisunu permessu | ||||
| Esclusione di u bordu | 3mm | ||||
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