8-дюймовая кремниевая пластина высокой чистоты

Краткое описание:

Высокочистые 8-дюймовые кремниевые пластины VET Energy — ваш идеальный выбор для производства полупроводников. Изготовленные с использованием передовых технологий, эти пластины обладают превосходным качеством кристаллов и плоскостностью поверхности, что делает их пригодными для производства различных микроэлектронных устройств.


Подробности продукта

Теги продукта

8-дюймовые кремниевые пластины VET Energy широко используются в силовой электронике, датчиках, интегральных схемах и других областях. Будучи лидером в полупроводниковой промышленности, мы стремимся предоставлять высококачественную продукцию Si Wafer для удовлетворения растущих потребностей наших клиентов.

Помимо кремниевых пластин, VET Energy также поставляет широкий ассортимент материалов для полупроводниковых подложек, включая подложки SiC, пластины SOI, подложки SiN, эпитаксиальные пластины и т. д. Наша линейка продукции также охватывает новые широкозонные полупроводниковые материалы, такие как оксид галлия Ga2O3 и пластины AlN, что обеспечивает надежную поддержку для разработки силовых электронных устройств нового поколения.

VET Energy имеет передовое производственное оборудование и полную систему управления качеством, чтобы гарантировать, что каждая пластина соответствует строгим отраслевым стандартам. Наша продукция не только обладает превосходными электрическими свойствами, но и хорошей механической прочностью и термической стабильностью.

VET Energy предоставляет клиентам индивидуальные решения для пластин, включая пластины разных размеров, типов и концентраций легирования. Кроме того, мы также предоставляем профессиональную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы помочь клиентам решить различные проблемы, возникающие в процессе производства.

第6页-36
第6页-35

СПЕЦИФИКАЦИИ ПЛАСТИН

*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

нП

н-Пм

н-Пс

SI

SI

ТТВ(GBIR)

≤6мкм

≤6мкм

Лук (GF3YFCD)-Абсолютное значение

≤15мкм

≤15мкм

≤25мкм

≤15мкм

Варп (GF3YFER)

≤25мкм

≤25мкм

≤40мкм

≤25мкм

ЛТВ(СБИР)-10ммx10мм

<2мкм

Край вафли

Скашивание

ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ

*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

нП

н-Пм

н-Пс

SI

SI

Отделка поверхности

Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP

Шероховатость поверхности

(10мкм x 10мкм) Si-FaceRa≤0.2нм
C-грань Ra≤ 0,5 нм

(5мкмx5мкм) Si-поверхность Ra≤0,2нм
C-грань Ra≤0.5нм

Краевые чипы

Не допускается (длина и ширина ≥0,5 мм)

Отступы

Не разрешено

Царапины (Si-Face)

Кол-во ≤5,Накопительное
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во ≤5,Накопительное
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во ≤5,Накопительное
Длина≤0,5×диаметр пластины

Трещины

Не разрешено

Исключение кромки

3мм

размер_технологии_1_2
Китай (2)

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат WhatsApp!