Tấm silicon 8 inch có độ tinh khiết cao

Mô tả ngắn gọn:

Các tấm wafer silicon 8 inch có độ tinh khiết cao của VET Energy là lựa chọn lý tưởng cho sản xuất chất bán dẫn. Được sản xuất bằng công nghệ tiên tiến, các tấm wafer này có chất lượng tinh thể và độ phẳng bề mặt tuyệt vời, phù hợp để sản xuất nhiều loại thiết bị vi điện tử.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Các tấm wafer silicon 8 inch của VET Energy được sử dụng rộng rãi trong điện tử công suất, cảm biến, mạch tích hợp và các lĩnh vực khác. Là một công ty hàng đầu trong ngành bán dẫn, chúng tôi cam kết cung cấp các sản phẩm wafer Si chất lượng cao để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của khách hàng.

Ngoài Si Wafer, VET Energy còn cung cấp nhiều loại vật liệu nền bán dẫn, bao gồm SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, v.v. Dòng sản phẩm của chúng tôi cũng bao gồm các vật liệu bán dẫn có khoảng cách băng thông rộng mới như Gallium Oxide Ga2O3 và AlN Wafer, hỗ trợ mạnh mẽ cho sự phát triển của các thiết bị điện tử công suất thế hệ tiếp theo.

VET Energy có thiết bị sản xuất tiên tiến và hệ thống quản lý chất lượng hoàn chỉnh để đảm bảo mỗi tấm wafer đáp ứng các tiêu chuẩn nghiêm ngặt của ngành. Sản phẩm của chúng tôi không chỉ có tính chất điện tuyệt vời mà còn có độ bền cơ học và độ ổn định nhiệt tốt.

VET Energy cung cấp cho khách hàng các giải pháp wafer tùy chỉnh, bao gồm các wafer có kích thước, loại và nồng độ pha tạp khác nhau. Ngoài ra, chúng tôi còn cung cấp dịch vụ hỗ trợ kỹ thuật chuyên nghiệp và dịch vụ sau bán hàng để giúp khách hàng giải quyết các vấn đề khác nhau gặp phải trong quá trình sản xuất.

第6页-36
第6-35

THÔNG SỐ KỸ THUẬT WAFERING

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=Bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

không có

n-Chiều

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Giá trị tuyệt đối

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Cong vênh (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Cạnh wafer

Vát mép

HOÀN THIỆN BỀ MẶT

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=Bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

không có

n-Chiều

n-Ps

SI

SI

Hoàn thiện bề mặt

Đánh bóng quang học hai mặt, Si- Face CMP

Độ nhám bề mặt

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
Mặt C Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
Mặt C Ra≤0.5nm

Chip cạnh

Không được phép (chiều dài và chiều rộng ≥0,5mm)

thụt lề

Không được phép

Trầy xước (Si-Face)

Số lượng ≤5,Tích lũy
Chiều dài≤0,5×đường kính wafer

Số lượng ≤5,Tích lũy
Chiều dài≤0,5×đường kính wafer

Số lượng ≤5,Tích lũy
Chiều dài≤0,5×đường kính wafer

Các vết nứt

Không được phép

Loại trừ cạnh

3mm

công nghệ_1_2_kích thước
下载 (2)

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến trên WhatsApp!