Les oblies de silici de 8 polzades de VET Energy s'utilitzen àmpliament en electrònica de potència, sensors, circuits integrats i altres camps. Com a líders en la indústria dels semiconductors, ens comprometem a proporcionar productes d'oblies de silici d'alta qualitat per satisfer les creixents necessitats dels nostres clients.
A més de les oblies de Si, VET Energy també ofereix una àmplia gamma de materials de substrat semiconductors, com ara substrats de SiC, oblies de SOI, substrats de SiN, oblies d'Epi, etc. La nostra línia de productes també cobreix nous materials semiconductors de banda ampla com ara l'òxid de gal·li Ga2O3 i l'oblies d'AlN, proporcionant un fort suport per al desenvolupament de dispositius electrònics de potència de nova generació.
VET Energy disposa d'equips de producció avançats i un sistema complet de gestió de qualitat per garantir que cada oblia compleixi els estrictes estàndards de la indústria. Els nostres productes no només tenen excel·lents propietats elèctriques, sinó que també tenen una bona resistència mecànica i estabilitat tèrmica.
VET Energy ofereix als clients solucions d'oblies personalitzades, incloent-hi oblies de diferents mides, tipus i concentracions de dopatge. A més, també oferim assistència tècnica professional i servei postvenda per ajudar els clients a resoldre diversos problemes que troben durant el procés de producció.
ESPECIFICACIONS DE WAFERING
*n-Pm=tipus n grau Pm,n-Ps=tipus n grau Ps,Sl=Semi-aïllant
| Ítem | 8 polzades | 6 polzades | 4 polzades | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arc (GF3YFCD) - Valor absolut | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Deformació (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Vora de l'oblia | Bisellat | ||||
ACABAT DE LA SUPERFICIE
*n-Pm=tipus n grau Pm,n-Ps=tipus n grau Ps,Sl=Semi-aïllant
| Ítem | 8 polzades | 6 polzades | 4 polzades | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabat superficial | Poliment òptic de doble cara, Si-Face CMP | ||||
| Rugositat de la superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Xips de vora | Cap permès (longitud i amplada ≥0,5 mm) | ||||
| Sagnies | Cap permès | ||||
| Ratllades (Si-Face) | Quantitat ≤5, acumulativa | Quantitat ≤5, acumulativa | Quantitat ≤5, acumulativa | ||
| Esquerdes | Cap permès | ||||
| Exclusió de vores | 3 mm | ||||
-
Preus de les lloses de plaques de grafit de fàbrica de la Xina
-
Pila de combustible d'hidrogen 2000w PEMFC Stack 25v Dron...
-
Preu del bloc de carboni grafit per a mecanitzat/electro...
-
Pila de combustible d'hidrogen de 1000w, bateria hidràulica de 24v PEMFC...
-
Pila de combustible d'hidrogen amb potència d'alta precisió H...
-
Carbur de silici SSIC RBSIC Tub de SiC Tub de silici