उच्च शुद्धता 8 इंच सिलिकॉन वेफर

संक्षिप्त वर्णन:

VET Energy के उच्च शुद्धता वाले 8-इंच सिलिकॉन वेफ़र्स सेमीकंडक्टर निर्माण के लिए आपके आदर्श विकल्प हैं। उन्नत तकनीक का उपयोग करके बनाए गए इन वेफ़र्स में उत्कृष्ट क्रिस्टल गुणवत्ता और सतह समतलता है, जो उन्हें विभिन्न प्रकार के माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के निर्माण के लिए उपयुक्त बनाती है।


उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

VET Energy के 8-इंच सिलिकॉन वेफ़र का इस्तेमाल पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, सेंसर, इंटीग्रेटेड सर्किट और अन्य क्षेत्रों में व्यापक रूप से किया जाता है। सेमीकंडक्टर उद्योग में अग्रणी के रूप में, हम अपने ग्राहकों की बढ़ती ज़रूरतों को पूरा करने के लिए उच्च गुणवत्ता वाले Si वेफ़र उत्पाद प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।

Si वेफर के अलावा, VET एनर्जी सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट सामग्रियों की एक विस्तृत श्रृंखला भी प्रदान करती है, जिसमें SiC सब्सट्रेट, SOI वेफर, SiN सब्सट्रेट, Epi वेफर आदि शामिल हैं। हमारी उत्पाद लाइन में गैलियम ऑक्साइड Ga2O3 और AlN वेफर जैसे नए वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर पदार्थ भी शामिल हैं, जो अगली पीढ़ी के पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास के लिए मजबूत समर्थन प्रदान करते हैं।

VET Energy के पास उन्नत उत्पादन उपकरण और एक पूर्ण गुणवत्ता प्रबंधन प्रणाली है, ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि प्रत्येक वेफर सख्त उद्योग मानकों को पूरा करता है। हमारे उत्पादों में न केवल उत्कृष्ट विद्युत गुण हैं, बल्कि अच्छी यांत्रिक शक्ति और तापीय स्थिरता भी है।

वीईटी एनर्जी ग्राहकों को अलग-अलग आकार, प्रकार और डोपिंग सांद्रता के वेफ़र सहित अनुकूलित वेफ़र समाधान प्रदान करता है। इसके अलावा, हम ग्राहकों को उत्पादन प्रक्रिया के दौरान आने वाली विभिन्न समस्याओं को हल करने में मदद करने के लिए पेशेवर तकनीकी सहायता और बिक्री के बाद सेवा भी प्रदान करते हैं।

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वेफ़रिंग विनिर्देश

*एन-पीएम=एन-टाइप पीएम-ग्रेड,एन-पीएस=एन-टाइप पीएस-ग्रेड,एसएल=अर्द्ध इन्सुलेटिंग

वस्तु

8-इंच

6 इंच

4 इंच

एनपी

एन-पीएम

एन-पीएस

SI

SI

टीटीवी(जीबीआईआर)

≤6um

≤6um

धनुष(GF3YFCD)-निरपेक्ष मान

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

ताना(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

एलटीवी(एसबीआईआर)-10मिमीx10मिमी

<2μm

वेफर एज

बेवेलिंग

सतह खत्म

*एन-पीएम=एन-टाइप पीएम-ग्रेड,एन-पीएस=एन-टाइप पीएस-ग्रेड,एसएल=अर्द्ध इन्सुलेटिंग

वस्तु

8-इंच

6 इंच

4 इंच

एनपी

एन-पीएम

एन-पीएस

SI

SI

सतह खत्म

डबल साइड ऑप्टिकल पॉलिश, Si- फेस सीएमपी

सतह खुरदरापन

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
सी-फेस Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-फेस Ra≤0.2nm
सी-फेस Ra≤0.5nm

एज चिप्स

कोई भी अनुमति नहीं (लंबाई और चौड़ाई≥0.5 मिमी)

इंडेंट

कोई अनुमति नहीं

खरोंचें (Si-फेस)

मात्रा.≤5, संचयी
लंबाई≤0.5×वेफर व्यास

मात्रा.≤5, संचयी
लंबाई≤0.5×वेफर व्यास

मात्रा.≤5, संचयी
लंबाई≤0.5×वेफर व्यास

दरारें

कोई अनुमति नहीं

एज एक्सक्लूज़न

3 मिमी

तकनीक_1_2_आकार
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