Plaquette de silicium haute pureté de 8 pouces

Brève description :

Les plaquettes de silicium haute pureté de 8 pouces de VET Energy sont idéales pour la fabrication de semi-conducteurs. Fabriquées à partir d'une technologie de pointe, ces plaquettes présentent une excellente qualité cristalline et une excellente planéité de surface, ce qui les rend idéales pour la fabrication de divers dispositifs microélectroniques.

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Détails du produit

Étiquettes de produit

Les plaquettes de silicium de 8 pouces de VET Energy sont largement utilisées dans l'électronique de puissance, les capteurs, les circuits intégrés et d'autres domaines. En tant que leader du secteur des semi-conducteurs, nous nous engageons à fournir des plaquettes de silicium de haute qualité pour répondre aux besoins croissants de nos clients.

En plus des plaquettes Si, VET Energy fournit également une large gamme de matériaux de substrat semi-conducteurs, notamment des substrats SiC, des plaquettes SOI, des substrats SiN, des plaquettes Epi, etc. Notre gamme de produits couvre également de nouveaux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite tels que l'oxyde de gallium Ga2O3 et la plaquette AlN, offrant un soutien solide au développement de dispositifs électroniques de puissance de nouvelle génération.

VET Energy dispose d'équipements de production de pointe et d'un système complet de gestion de la qualité pour garantir que chaque plaquette répond aux normes industrielles les plus strictes. Nos produits présentent non seulement d'excellentes propriétés électriques, mais aussi une bonne résistance mécanique et une bonne stabilité thermique.

VET Energy propose à ses clients des solutions de plaquettes personnalisées, incluant des plaquettes de différentes tailles, types et concentrations de dopage. Nous offrons également un support technique professionnel et un service après-vente pour aider nos clients à résoudre les différents problèmes rencontrés lors du processus de production.

SPÉCIFICATIONS DE DÉCAPAGE

*n-Pm=type n de qualité Pm,n-Ps=type n de qualité Ps,Sl=semi-isolant

Article	8 pouces	6 pouces			4 pouces
Article	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤ 6 µm	≤ 6 µm
Arc (GF3YFCD) - Valeur absolue	≤15 μm	≤15 μm	≤ 25 μm		≤15 μm
Déformation (GF3YFER)	≤ 25 μm	≤ 25 μm	≤ 40 μm		≤ 25 μm
LTV (SBIR)-10 mm x 10 mm	<2 μm
Bord de plaquette	Biseautage

FINITION DE SURFACE

*n-Pm=type n de qualité Pm,n-Ps=type n de qualité Ps,Sl=semi-isolant

Article	8 pouces	6 pouces			4 pouces
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Finition de surface	Polissage optique double face, Si-Face CMP
Rugosité de surface	(10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm Face C Ra≤ 0,5 nm			(5 µm x 5 µm) Face Si Ra ≤ 0,2 nm Face C Ra ≤ 0,5 nm
Chips de bord	Aucun autorisé (longueur et largeur ≥ 0,5 mm)
Retraits	Aucun permis
Rayures (Si-Face)	Qté ≤ 5, Cumulatif Longueur ≤ 0,5 × diamètre de la plaquette	Qté ≤ 5, Cumulatif Longueur ≤ 0,5 × diamètre de la plaquette			Qté ≤ 5, Cumulatif Longueur ≤ 0,5 × diamètre de la plaquette
Fissures	Aucun permis
Exclusion des bords	3 mm