Wafer de silício de alta pureza de 8 polegadas

Descrição curta:

Os wafers de silício de 8 polegadas de alta pureza da VET Energy são a escolha ideal para a fabricação de semicondutores. Fabricados com tecnologia avançada, esses wafers apresentam excelente qualidade cristalina e planicidade de superfície, tornando-os adequados para a fabricação de uma variedade de dispositivos microeletrônicos.


Detalhes do produto

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Os wafers de silício de 8 polegadas da VET Energy são amplamente utilizados em eletrônica de potência, sensores, circuitos integrados e outras áreas. Como líderes na indústria de semicondutores, temos o compromisso de fornecer produtos de wafers de silício de alta qualidade para atender às crescentes necessidades de nossos clientes.

Além do wafer de Si, a VET Energy também fornece uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo substrato de SiC, wafer de SOI, substrato de SiN, wafer de Epi, etc. Nossa linha de produtos também abrange novos materiais semicondutores de ampla banda, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN, fornecendo forte suporte para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de potência de última geração.

A VET Energy possui equipamentos de produção avançados e um sistema completo de gestão da qualidade para garantir que cada wafer atenda aos rigorosos padrões da indústria. Nossos produtos não só possuem excelentes propriedades elétricas, mas também boa resistência mecânica e estabilidade térmica.

A VET Energy oferece aos clientes soluções personalizadas de wafers, incluindo wafers de diferentes tamanhos, tipos e concentrações de dopagem. Além disso, oferecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver diversos problemas encontrados durante o processo de produção.

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ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformação(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de Wafer

Chanfradura

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polimento óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5 nm

Chips de Borda

Nenhum permitido (comprimento e largura ≥ 0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Qtd.≤5,Acumulativo
Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer

Qtd.≤5,Acumulativo
Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer

Qtd.≤5,Acumulativo
Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de Borda

3 mm

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