Os wafers de silício de 8 polegadas da VET Energy são amplamente utilizados em eletrônica de potência, sensores, circuitos integrados e outras áreas. Como líderes na indústria de semicondutores, temos o compromisso de fornecer produtos de wafers de silício de alta qualidade para atender às crescentes necessidades de nossos clientes.
Além do wafer de Si, a VET Energy também fornece uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo substrato de SiC, wafer de SOI, substrato de SiN, wafer de Epi, etc. Nossa linha de produtos também abrange novos materiais semicondutores de ampla banda, como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN, fornecendo forte suporte para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de potência de última geração.
A VET Energy possui equipamentos de produção avançados e um sistema completo de gestão da qualidade para garantir que cada wafer atenda aos rigorosos padrões da indústria. Nossos produtos não só possuem excelentes propriedades elétricas, mas também boa resistência mecânica e estabilidade térmica.
A VET Energy oferece aos clientes soluções personalizadas de wafers, incluindo wafers de diferentes tamanhos, tipos e concentrações de dopagem. Além disso, oferecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver diversos problemas encontrados durante o processo de produção.
ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante
| Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-Valor Absoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformação(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Borda de Wafer | Chanfradura | ||||
ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante
| Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabamento de superfície | Polimento óptico de dupla face, Si-Face CMP | ||||
| Rugosidade da superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Chips de Borda | Nenhum permitido (comprimento e largura ≥ 0,5 mm) | ||||
| Recuos | Nenhum permitido | ||||
| Arranhões (Si-Face) | Qtd.≤5,Acumulativo | Qtd.≤5,Acumulativo | Qtd.≤5,Acumulativo | ||
| Rachaduras | Nenhum permitido | ||||
| Exclusão de Borda | 3 mm | ||||
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