Die 8-Zoll-Siliziumwafer von VET Energy finden breite Anwendung in der Leistungselektronik, Sensorik, integrierten Schaltkreisen und anderen Bereichen. Als führendes Unternehmen der Halbleiterindustrie sind wir bestrebt, hochwertige Si-Wafer-Produkte anzubieten, um den wachsenden Bedarf unserer Kunden zu decken.
Neben Si-Wafern bietet VET Energy auch eine breite Palette an Halbleitersubstratmaterialien an, darunter SiC-Substrate, SOI-Wafer, SiN-Substrate, Epi-Wafer usw. Unsere Produktlinie umfasst auch neue Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke wie Galliumoxid Ga2O3 und AlN-Wafer und bietet so eine starke Unterstützung für die Entwicklung von Leistungselektronikgeräten der nächsten Generation.
VET Energy verfügt über moderne Produktionsanlagen und ein umfassendes Qualitätsmanagementsystem, um sicherzustellen, dass jeder Wafer strenge Industriestandards erfüllt. Unsere Produkte verfügen nicht nur über hervorragende elektrische Eigenschaften, sondern auch über eine gute mechanische Festigkeit und thermische Stabilität.
VET Energy bietet seinen Kunden maßgeschneiderte Waferlösungen, darunter Wafer unterschiedlicher Größe, Art und Dotierungskonzentration. Darüber hinaus bieten wir professionellen technischen Support und Kundendienst, um Kunden bei der Lösung verschiedener Probleme im Produktionsprozess zu unterstützen.
WAFERINGSSPEZIFIKATIONEN
*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend
| Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 µm | ≤6 µm | |||
| Bow(GF3YFCD)-Absoluter Wert | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Waferkante | Abschrägung | ||||
OBERFLÄCHENBEARBEITUNG
*n-Pm = n-Typ Pm-Grade, n-Ps = n-Typ Ps-Grade, Sl = halbisolierend
| Artikel | 8 Zoll | 6 Zoll | 4 Zoll | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Oberflächenbeschaffenheit | Doppelseitige optische Politur, Si-Face CMP | ||||
| Oberflächenrauheit | (10µm x 10µm) Si-FlächeRa≤0,2nm | (5µm x 5µm) Si-Fläche Ra≤0,2nm | |||
| Kantensplitter | Keine zulässig (Länge und Breite ≥ 0,5 mm) | ||||
| Einrückungen | Keine erlaubt | ||||
| Kratzer (Si-Face) | Menge ≤5, kumulativ | Menge ≤5, kumulativ | Menge ≤5, kumulativ | ||
| Risse | Keine erlaubt | ||||
| Kantenausschluss | 3 mm | ||||
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