Vysoko čistý 8-palcový kremíkový plátok

Obrázok vysoko čistého 8-palcového kremíkového plátku

Stručný popis:

Vysoko čisté 8-palcové kremíkové doštičky od spoločnosti VET Energy sú ideálnou voľbou pre výrobu polovodičov. Tieto doštičky, vyrobené pomocou pokročilej technológie, majú vynikajúcu kryštálovú kvalitu a rovinnosť povrchu, vďaka čomu sú vhodné na výrobu rôznych mikroelektronických zariadení.

Pošlite nám e-mail Stiahnuť ako PDF

Detaily produktu

Značky produktov

8-palcové kremíkové doštičky od spoločnosti VET Energy sa široko používajú vo výkonovej elektronike, senzoroch, integrovaných obvodoch a ďalších oblastiach. Ako líder v polovodičovom priemysle sa zaväzujeme poskytovať vysokokvalitné kremíkové doštičky, aby sme uspokojili rastúce potreby našich zákazníkov.

Okrem kremíkových doštičiek (Si Wafer) spoločnosť VET Energy poskytuje aj širokú škálu polovodičových substrátových materiálov vrátane SiC substrátu, SOI doštičky, SiN substrátu, Epi doštičky atď. Naša produktová rada zahŕňa aj nové polovodičové materiály so širokým zakázaným pásmom, ako je oxid gália Ga2O3 a AlN doštička, čím poskytuje silnú podporu pre vývoj výkonových elektronických zariadení novej generácie.

Spoločnosť VET Energy má moderné výrobné zariadenia a kompletný systém riadenia kvality, aby zabezpečila, že každý doštička spĺňa prísne priemyselné normy. Naše produkty majú nielen vynikajúce elektrické vlastnosti, ale aj dobrú mechanickú pevnosť a tepelnú stabilitu.

Spoločnosť VET Energy poskytuje zákazníkom riešenia na mieru v oblasti doštičiek vrátane doštičiek rôznych veľkostí, typov a koncentrácií dopingu. Okrem toho poskytujeme aj profesionálnu technickú podporu a popredajný servis, aby sme zákazníkom pomohli vyriešiť rôzne problémy, s ktorými sa stretnú počas výrobného procesu.

ŠPECIFIKÁCIE PLÁTKOV

*n-Pm=typ n Pm-trieda, n-Ps=typ n Ps-trieda, Sl=poloizolačný

Položka	8-palcový	6-palcový			4-palcový
Položka	nP	n-Pm	n-P	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6 μm	≤6 μm
Bow (GF3YFCD) - Absolútna hodnota	≤15 μm	≤15 μm	≤25 μm		≤15 μm
Warp (GF3YFER)	≤25 μm	≤25 μm	≤40 μm		≤25 μm
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm	<2 μm
Okraj oblátky	Skosenie

POVRCHOVÁ ÚPRAVA

*n-Pm=typ n Pm-trieda, n-Ps=typ n Ps-trieda, Sl=poloizolačný

Položka	8-palcový	6-palcový			4-palcový
	nP	n-Pm	n-P	SI	SI
Povrchová úprava	Obojstranná optická leštiaca metóda, Si-Face CMP
Drsnosť povrchu	(10um x 10um) Si-FaceRa ≤ 0,2 nm C-plocha Ra ≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-Face Ra ≤ 0,2 nm C-plocha Ra ≤ 0,5 nm
Okrajové triesky	Žiadne povolené (dĺžka a šírka ≥ 0,5 mm)
Odsadenia	Žiadne povolené
Škrabance (Si-Face)	Množstvo ≤ 5, Kumulatívne Dĺžka ≤ 0,5 × priemer doštičky	Množstvo ≤ 5, Kumulatívne Dĺžka ≤ 0,5 × priemer doštičky			Množstvo ≤ 5, Kumulatívne Dĺžka ≤ 0,5 × priemer doštičky
Trhliny	Žiadne povolené
Vylúčenie okrajov	3 mm