Yuqori toza 8 dyuymli silikon gofret

Yuqori tozalikdagi 8 dyuymli kremniy gofretli tasvir

Qisqacha tavsif:

VET Energy kompaniyasining yuqori tozaligidagi 8 dyuymli kremniy gofretlari yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish uchun ideal tanlovingizdir. Ilg‘or texnologiyadan foydalangan holda ishlab chiqarilgan bu gofretlar a’lo kristall sifati va sirt tekisligiga ega bo‘lib, ularni turli mikroelektron qurilmalarni ishlab chiqarish uchun qulay qiladi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF sifatida yuklab oling

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

VET Energy kompaniyasining 8 dyuymli kremniy gofretlari energiya elektronikasi, sensorlar, integral mikrosxemalar va boshqa sohalarda keng qo'llaniladi. Yarimo'tkazgich sanoatining etakchisi sifatida biz mijozlarimizning ortib borayotgan ehtiyojlarini qondirish uchun yuqori sifatli Si Wafer mahsulotlarini taqdim etishga intilamiz.

Si Gofretdan tashqari, VET Energy shuningdek, SiC Substrate, SOI Gofret, SiN Substrate, Epi Gofret va boshqalarni oʻz ichiga olgan yarimoʻtkazgichli substrat materiallarining keng assortimentini taqdim etadi. Bizning mahsulot qatorimiz shuningdek, Gallium Oxide Ga2O3 va AlN Wafer kabi yangi keng tarmoqli yarimoʻtkazgichli materiallarni ham qamrab oladi, bu esa keyingi avlod quvvat elektron qurilmalarini rivojlantirish uchun kuchli yordam beradi.

VET Energy har bir gofret qat'iy sanoat standartlariga javob berishini ta'minlash uchun ilg'or ishlab chiqarish uskunalari va to'liq sifat menejmenti tizimiga ega. Mahsulotlarimiz nafaqat mukammal elektr xususiyatlariga ega, balki yaxshi mexanik kuch va termal barqarorlikka ham ega.

VET Energy mijozlarga moslashtirilgan gofret yechimlari, jumladan, turli o'lchamdagi, turdagi va doping konsentratsiyasidagi gofretlarni taqdim etadi. Bundan tashqari, biz mijozlarga ishlab chiqarish jarayonida duch keladigan turli muammolarni hal qilishda yordam berish uchun professional texnik yordam va sotishdan keyingi xizmat ko'rsatamiz.

WAFERING XUSUSIYATLARI

*n-Pm=n-turi Pm-darajali,n-Ps=n-turi Ps-darajali,Sl=Yarim izolyatsiyalovchi

Element	8 dyuym	6 dyuym			4 dyuym
Element	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-mutlaq qiymat	≤15 mkm	≤15 mkm	≤25mkm		≤15 mkm
Buzilish (GF3YFER)	≤25mkm	≤25mkm	≤40mkm		≤25mkm
LTV (SBIR) -10mmx10mm	<2 mkm
Gofret chekkasi	Kesish

Yuzaki tugatish

*n-Pm=n-turi Pm-darajali,n-Ps=n-turi Ps-darajali,Sl=Yarim izolyatsiyalovchi

Element	8 dyuym	6 dyuym			4 dyuym
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Yuzaki tugatish	Ikki tomonlama optik jilo, Si-Face CMP
Sirt pürüzlülüğü	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-Face Ra≤ 0,5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5nm
Kenar chiplari	Ruxsat berilmagan (uzunligi va kengligi≥0,5 mm)
Indents	Ruxsat berilmagan
Chizishlar (Si-Face)	Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri	Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri			Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri
Yoriqlar	Ruxsat berilmagan
Chetni istisno qilish	3 mm