Yüksək Saflıqda 8 düymlük Silikon Gofret

Yüksək Saflıqda 8 düymlük Silikon Vafli Xüsusi Şəkil

Qısa təsvir:

VET Energy-nin yüksək təmizliyə malik 8 düymlük silikon vafliləri yarımkeçiricilərin istehsalı üçün ideal seçiminizdir. Qabaqcıl texnologiyadan istifadə edilməklə hazırlanmış bu vaflilər əla kristal keyfiyyətinə və səth düzlüyünə malikdir və bu onları müxtəlif mikroelektron cihazların istehsalı üçün əlverişli edir.

Bizə e-poçt göndərin PDF olaraq yükləyin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

VET Energy-nin 8 düymlük silikon vafliləri enerji elektronikası, sensorlar, inteqral sxemlər və digər sahələrdə geniş istifadə olunur. Yarımkeçirici sənayesində lider olaraq, müştərilərimizin artan ehtiyaclarını ödəmək üçün yüksək keyfiyyətli Si Wafer məhsulları təqdim etməyə sadiqik.

Si Wafer-dən əlavə, VET Energy həmçinin SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer və s.

VET Energy hər bir vaflinin ciddi sənaye standartlarına cavab verməsini təmin etmək üçün qabaqcıl istehsal avadanlıqlarına və tam keyfiyyət idarəetmə sisteminə malikdir. Məhsullarımız yalnız əla elektrik xüsusiyyətlərinə malik deyil, həm də yaxşı mexaniki gücə və istilik sabitliyinə malikdir.

VET Energy müştərilərə müxtəlif ölçülü, tipli və dopinq konsentrasiyalı vaflilər də daxil olmaqla fərdiləşdirilmiş vafli həllər təqdim edir. Bundan əlavə, biz müştərilərə istehsal prosesi zamanı qarşılaşdıqları müxtəlif problemləri həll etmək üçün peşəkar texniki dəstək və satış sonrası xidmət göstəririk.

VAFERİNİN XÜSUSİYYƏTLƏRİ

*n-Pm=n-tipli Pm-Qrade,n-Ps=n-tipli Ps-Qrade,Sl=Yarım-izolyasiya

Maddə	8-düym	6-düym			4-düym
Maddə	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Yay(GF3YFCD)-Mütləq Dəyər	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Çarpma (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR) -10mmx10mm	<2μm
Gofret kənarı	Kəsmə

Səthi bitirmə

*n-Pm=n-tipli Pm-Qrade,n-Ps=n-tipli Ps-Qrade,Sl=Yarım-izolyasiya

Maddə	8-düym	6-düym			4-düym
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Səthi bitirmə	İkitərəfli Optik Cila, Si-Face CMP
Səthi Kobudluq	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Üz Ra≤0.5nm
Kenar çipləri	İcazə verilmir (uzunluq və en≥0,5 mm)
Girintilər	Heç biri icazə verilmir
Cızıqlar (Si-Face)	Miqdar.≤5,Kumulyativ Uzunluq≤0,5×vafli diametri	Miqdar.≤5,Kumulyativ Uzunluq≤0,5×vafli diametri			Miqdar.≤5,Kumulyativ Uzunluq≤0,5×vafli diametri
Çatlaqlar	Heç biri icazə verilmir
Kənar İstisna	3 mm