Wafer di silicio ad alta purezza da 8 pollici

Breve descrizione:

I wafer di silicio da 8 pollici ad alta purezza di VET Energy sono la scelta ideale per la produzione di semiconduttori. Realizzati con tecnologie avanzate, questi wafer presentano un'eccellente qualità cristallina e planarità superficiale, rendendoli adatti alla produzione di una varietà di dispositivi microelettronici.


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I wafer di silicio da 8 pollici di VET Energy sono ampiamente utilizzati nell'elettronica di potenza, nei sensori, nei circuiti integrati e in altri settori. In qualità di leader nel settore dei semiconduttori, ci impegniamo a fornire wafer di silicio di alta qualità per soddisfare le crescenti esigenze dei nostri clienti.

Oltre al Si Wafer, VET Energy fornisce anche un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui substrati SiC, wafer SOI, substrati SiN, wafer Epi, ecc. La nostra linea di prodotti comprende anche nuovi materiali semiconduttori ad ampio bandgap come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer AlN, fornendo un forte supporto per lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza di nuova generazione.

VET Energy dispone di attrezzature di produzione all'avanguardia e di un sistema di gestione della qualità completo per garantire che ogni wafer soddisfi rigorosi standard di settore. I nostri prodotti non solo presentano eccellenti proprietà elettriche, ma vantano anche una buona resistenza meccanica e stabilità termica.

VET Energy offre ai clienti soluzioni wafer personalizzate, tra cui wafer di diverse dimensioni, tipologie e concentrazioni di drogaggio. Inoltre, forniamo supporto tecnico professionale e assistenza post-vendita per aiutare i clienti a risolvere le diverse problematiche riscontrate durante il processo produttivo.

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SPECIFICHE DI WAFERING

*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valore assoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bordo del wafer

smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finitura superficiale

Lucidatura ottica bifacciale, Si-Face CMP

Rugosità superficiale

(10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm
C-Face Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Chip di bordo

Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥0,5 mm)

Rientri

Nessuno consentito

Graffi (Si-Face)

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

crepe

Nessuno consentito

Esclusione del bordo

3 millimetri

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