I wafer di silicio da 8 pollici di VET Energy sono ampiamente utilizzati nell'elettronica di potenza, nei sensori, nei circuiti integrati e in altri settori. In qualità di leader nel settore dei semiconduttori, ci impegniamo a fornire wafer di silicio di alta qualità per soddisfare le crescenti esigenze dei nostri clienti.
Oltre al Si Wafer, VET Energy fornisce anche un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui substrati SiC, wafer SOI, substrati SiN, wafer Epi, ecc. La nostra linea di prodotti comprende anche nuovi materiali semiconduttori ad ampio bandgap come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer AlN, fornendo un forte supporto per lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza di nuova generazione.
VET Energy dispone di attrezzature di produzione all'avanguardia e di un sistema di gestione della qualità completo per garantire che ogni wafer soddisfi rigorosi standard di settore. I nostri prodotti non solo presentano eccellenti proprietà elettriche, ma vantano anche una buona resistenza meccanica e stabilità termica.
VET Energy offre ai clienti soluzioni wafer personalizzate, tra cui wafer di diverse dimensioni, tipologie e concentrazioni di drogaggio. Inoltre, forniamo supporto tecnico professionale e assistenza post-vendita per aiutare i clienti a risolvere le diverse problematiche riscontrate durante il processo produttivo.
SPECIFICHE DI WAFERING
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arco (GF3YFCD) - Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Bordo del wafer | smussatura | ||||
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finitura superficiale | Lucidatura ottica bifacciale, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità superficiale | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥0,5 mm) | ||||
| Rientri | Nessuno consentito | ||||
| Graffi (Si-Face) | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | ||
| crepe | Nessuno consentito | ||||
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | ||||
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