Yüksek Saflıkta 8 İnç Silikon Wafer

Kısa Açıklama:

VET Energy'nin yüksek saflıktaki 8 inçlik silikon gofretleri, yarı iletken üretimi için ideal seçiminizdir. İleri teknoloji kullanılarak üretilen bu gofretler, mükemmel kristal kalitesine ve yüzey düzlüğüne sahiptir ve bu da onları çeşitli mikroelektronik cihazların üretimi için uygun hale getirir.

Bize e-posta gönderin PDF olarak indir

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

VET Energy'nin 8 inçlik silikon gofretleri güç elektroniği, sensörler, entegre devreler ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Yarı iletken sektöründe lider olarak, müşterilerimizin artan ihtiyaçlarını karşılamak için yüksek kaliteli Si Gofret ürünleri sunmaya kararlıyız.

VET Energy, Si Wafer'ın yanı sıra SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer vb. gibi çok çeşitli yarı iletken substrat malzemeleri de sağlamaktadır. Ürün yelpazemiz ayrıca Galyum Oksit Ga2O3 ve AlN Wafer gibi yeni geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeleri de kapsayarak, yeni nesil güç elektroniği cihazlarının geliştirilmesine güçlü destek sağlamaktadır.

VET Energy, her bir gofretin sıkı endüstri standartlarını karşıladığından emin olmak için gelişmiş üretim ekipmanlarına ve eksiksiz bir kalite yönetim sistemine sahiptir. Ürünlerimiz yalnızca mükemmel elektriksel özelliklere sahip olmakla kalmaz, aynı zamanda iyi mekanik mukavemete ve termal kararlılığa da sahiptir.

VET Energy, müşterilere farklı boyutlarda, tiplerde ve doping konsantrasyonlarında wafer'lar dahil olmak üzere özelleştirilmiş wafer çözümleri sunar. Ayrıca, müşterilerin üretim sürecinde karşılaştıkları çeşitli sorunları çözmelerine yardımcı olmak için profesyonel teknik destek ve satış sonrası hizmet de sağlarız.

WAFERING ÖZELLİKLERİ

*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı-Yalıtımlı

Öğe	8 inç	6 inç			4 inç
Öğe	nP	n-Pm	n-P'ler	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Yay(GF3YFCD)-Mutlak Değer	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Çarpıtma(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Gofret Kenarı	Pahlama

YÜZEY KAPLAMASI

*n-Pm=n-tipi Pm-Sınıfı,n-Ps=n-tipi Ps-Sınıfı,Sl=Yarı-Yalıtımlı

Öğe	8 inç	6 inç			4 inç
	nP	n-Pm	n-P'ler	SI	SI
Yüzey Kaplama	Çift taraflı Optik Cila,Si-Yüz CMP
Yüzey Pürüzlülüğü	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Yüz Ra≤ 0,5nm			(5umx5um) Si-Yüzey Ra≤0.2nm C-Yüz Ra≤0.5nm
Kenar Çipleri	Hiçbiri İzin Verilmez (uzunluk ve genişlik ≥0,5 mm)
Girintiler	Hiçbirine İzin Verilmedi
Çizikler(Si-Face)	Miktar ≤5,Kümülatif Uzunluk≤0,5×wafer çapı	Miktar ≤5,Kümülatif Uzunluk≤0,5×wafer çapı			Miktar ≤5,Kümülatif Uzunluk≤0,5×wafer çapı
Çatlaklar	Hiçbirine İzin Verilmedi
Kenar Dışlama	3mm