8-инчова силициева пластина с висока чистота

Високочиста 8-инчова силициева пластина, представено изображение

Кратко описание:

Високочистите 8-инчови силициеви пластини на VET Energy са вашият идеален избор за производство на полупроводници. Изработени с помощта на съвременни технологии, тези пластини имат отлично кристално качество и повърхностна плоскост, което ги прави подходящи за производството на различни микроелектронни устройства.

Изпратете ни имейл Изтегляне като PDF

Детайли за продукта

Етикети на продукти

8-инчовите силициеви пластини на VET Energy се използват широко в силовата електроника, сензорите, интегралните схеми и други области. Като лидер в полупроводниковата индустрия, ние сме ангажирани да предоставяме висококачествени силициеви пластини, за да отговорим на нарастващите нужди на нашите клиенти.

В допълнение към Si пластините, VET Energy предлага и широка гама от полупроводникови субстратни материали, включително SiC субстрат, SOI пластина, SiN субстрат, Epi пластина и др. Нашата продуктова линия обхваща и нови широколентови полупроводникови материали, като галиев оксид Ga2O3 и AlN пластина, осигурявайки силна подкрепа за разработването на силови електронни устройства от следващо поколение.

VET Energy разполага с модерно производствено оборудване и цялостна система за управление на качеството, за да гарантира, че всяка пластина отговаря на строги индустриални стандарти. Нашите продукти не само имат отлични електрически свойства, но и добра механична якост и термична стабилност.

VET Energy предоставя на клиентите си персонализирани решения за пластини, включително пластини с различни размери, видове и концентрации на примеси. Освен това, ние предоставяме и професионална техническа поддръжка и следпродажбено обслужване, за да помогнем на клиентите да решат различни проблеми, възникващи по време на производствения процес.

СПЕЦИФИКАЦИИ ЗА ВАФЛИРАНЕ

*n-Pm=n-тип Pm-клас, n-Ps=n-тип Ps-клас, Sl=Полуизолационен

Елемент	8-инчов	6-инчов			4-инчов
Елемент	нП	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6 мкм	≤6 мкм
Bow (GF3YFCD) - Абсолютна стойност	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Уорп (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR) - 10 мм x 10 мм	<2μm
Ръб на вафлата	Скосяване

ПОВЪРХНОСТНА ОБРАБОТКА

*n-Pm=n-тип Pm-клас, n-Ps=n-тип Ps-клас, Sl=Полуизолационен

Елемент	8-инчов	6-инчов			4-инчов
	нП	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Повърхностно покритие	Двустранно оптично полиране, Si-Face CMP
Грапавост на повърхността	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Ръбни чипове	Не е разрешено (дължина и ширина ≥0,5 мм)
Отстъпи	Не е разрешено
Драскотини (Si-Face)	Количество ≤5, Кумулативно Дължина ≤ 0,5 × диаметър на пластината	Количество ≤5, Кумулативно Дължина ≤ 0,5 × диаметър на пластината			Количество ≤5, Кумулативно Дължина ≤ 0,5 × диаметър на пластината
Пукнатини	Не е разрешено
Изключване на ръбове	3 мм