Hoogzuivere 8 inch siliciumwafer

Hoofdafbeelding van een 8-inch siliciumwafer met hoge zuiverheid

Korte beschrijving:

De 8-inch siliciumwafers van VET Energy met hoge zuiverheidsgraad zijn de ideale keuze voor de productie van halfgeleiders. Deze wafers, gemaakt met behulp van geavanceerde technologie, hebben een uitstekende kristalkwaliteit en een vlak oppervlak, waardoor ze geschikt zijn voor de productie van diverse micro-elektronische apparaten.

Stuur ons een e-mail Downloaden als PDF

Productdetails

Productlabels

De 8-inch siliciumwafers van VET Energy worden veel gebruikt in vermogenselektronica, sensoren, geïntegreerde schakelingen en andere sectoren. Als leider in de halfgeleiderindustrie streven we ernaar hoogwaardige siliciumwaferproducten te leveren om te voldoen aan de groeiende behoeften van onze klanten.

Naast Si Wafer levert VET Energy ook een breed scala aan halfgeleidersubstraatmaterialen, waaronder SiC-substraat, SOI-wafer, SiN-substraat, Epi-wafer, enz. Onze productlijn omvat ook nieuwe halfgeleidermaterialen met een brede bandgap, zoals Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer, die een krachtige ondersteuning bieden voor de ontwikkeling van vermogenselektronica van de volgende generatie.

VET Energy beschikt over geavanceerde productieapparatuur en een compleet kwaliteitsmanagementsysteem om ervoor te zorgen dat elke wafer voldoet aan strenge industrienormen. Onze producten hebben niet alleen uitstekende elektrische eigenschappen, maar ook een goede mechanische sterkte en thermische stabiliteit.

VET Energy biedt klanten waferoplossingen op maat, waaronder wafers van verschillende groottes, typen en dopingconcentraties. Daarnaast bieden we professionele technische ondersteuning en aftersalesservice om klanten te helpen bij het oplossen van diverse problemen die ze tijdens het productieproces tegenkomen.

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend

Item	8 inch	6 inch			4-inch
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow (GF3YFCD) - Absolute waarde	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Warp(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Waferrand	Afschuinen

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend

Item	8 inch	6 inch			4-inch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Oppervlakteafwerking	Dubbelzijdige optische polijst, Si-Face CMP
Oppervlakteruwheid	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-vlak Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-oppervlak Ra≤0,2 nm C-vlak Ra≤0,5 nm
Randchips	Niet toegestaan (lengte en breedte ≥ 0,5 mm)
Inspringingen	Niet toegestaan
Krassen (Si-Face)	Aantal ≤ 5, cumulatief Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter	Aantal ≤ 5, cumulatief Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter			Aantal ≤ 5, cumulatief Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter
Scheuren	Niet toegestaan
Randuitsluiting	3 mm