8 hazbeteko siliziozko oblea, purutasun handikoa

Deskribapen laburra:

VET Energy-ren 8 hazbeteko siliziozko obleak, purutasun handikoak, dira erdieroaleen fabrikaziorako aukera aproposa. Teknologia aurreratua erabiliz eginak, obleak hauek kristal-kalitate bikaina eta gainazal laua dute, eta horrek egokiak bihurtzen ditu hainbat gailu mikroelektroniko fabrikatzeko.

Bidali mezu elektroniko bat guregana Deskargatu PDF gisa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

VET Energy-ren 8 hazbeteko siliziozko obleak oso erabiliak dira potentzia elektronikan, sentsoreetan, zirkuitu integratuetan eta beste arlo batzuetan. Erdieroaleen industriako lider gisa, gure bezeroen gero eta handiagoak diren beharrei erantzuteko kalitate handiko Si obleak eskaintzeko konpromisoa hartu dugu.

Si Waferraz gain, VET Energy-k erdieroaleen substratu material sorta zabala ere eskaintzen du, besteak beste, SiC substratua, SOI wafera, SiN substratua, Epi wafera, etab. Gure produktu lerroak banda-tarte zabaleko erdieroale material berriak ere hartzen ditu barne, hala nola Galio Oxidoa Ga2O3 eta AlN wafera, hurrengo belaunaldiko potentzia elektronikako gailuen garapenerako laguntza sendoa eskainiz.

VET Energy-k ekoizpen-ekipo aurreratuak eta kalitate-kudeaketa sistema osoa ditu, oblea bakoitzak industria-estandar zorrotzak betetzen dituela ziurtatzeko. Gure produktuek ez dituzte propietate elektriko bikainak bakarrik, baita erresistentzia mekaniko ona eta egonkortasun termiko ona ere.

VET Energy-k oblea-irtenbide pertsonalizatuak eskaintzen dizkie bezeroei, tamaina, mota eta dopaje-kontzentrazio desberdinetako obleak barne. Horrez gain, laguntza tekniko profesionala eta salmenta osteko zerbitzua ere eskaintzen ditugu bezeroei ekoizpen-prozesuan zehar aurkitzen diren arazo desberdinak konpontzen laguntzeko.

OBLEEN ESPEZIFIKAZIOAK

*n-Pm=n-motako Pm-Grade,n-Ps=n-motako Ps-Grade,Sl=Erdi-isolatzailea

Elementua	8 hazbeteko	6 hazbeteko			4 hazbeteko
Elementua	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Arkua (GF3YFCD) - Balio Absolutua	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Deformazioa (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Oblearen ertza	Bizeltzea

AZALERAREN AKABERA

*n-Pm=n-motako Pm-Grade,n-Ps=n-motako Ps-Grade,Sl=Erdi-isolatzailea

Elementua	8 hazbeteko	6 hazbeteko			4 hazbeteko
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Gainazaleko akabera	Bi aldeetako leungarri optikoa, Si-Face CMP
Gainazaleko zimurtasuna	(10um x 10um) Si-AurpegiaRa≤0.2nm C-Aurpegia Ra ≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Aurpegia Ra≤0.2nm C-Aurpegia Ra≤0.5nm
Ertz-txipak	Bat ere ez da onartzen (luzera eta zabalera ≥0.5mm)
Koskak	Ez dago baimenduta
Marradurak (Si-Face)	Kantitatea ≤5, metatua Luzera ≤0.5 × oblata diametroa	Kantitatea ≤5, metatua Luzera ≤0.5 × oblata diametroa			Kantitatea ≤5, metatua Luzera ≤0.5 × oblata diametroa
Pitzadurak	Ez dago baimenduta
Ertz-bazterketa	3 mm