Monokrystalická křemíková epitaxe IC

Obrázek z monokrystalické křemíkové epitaxe IC

Stručný popis:

Místo původu:Čína

Krystalová struktura:Fáze FCCβ

Hustota:3,21 g/cm;

Tvrdost:2500 Vickersů;

Velikost zrna:2~10 μm;

Chemická čistota:99,99995 %;

Tepelná kapacita:640 J·kg-1·K-1;

Teplota sublimace:2700 °C;

Felexurální síla:415 MPa (RT 4bodový);

Youngův modul:430 Gpa (ohyb 4pt, 1300℃);

Tepelná roztažnost (CTE):4,5 × 10⁻⁶ K⁻¹;

Tepelná vodivost:300 (W/MK);

Pošlete nám e-mail Stáhnout jako PDF

Detaily produktu

Štítky produktů

Popis produktu

Naše společnost poskytuje služby v oblasti povlakování SiC metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů, kde speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují při vysoké teplotě za vzniku vysoce čistých molekul SiC, které se ukládají na povrch povlakovaných materiálů a vytvářejí ochrannou vrstvu SIC.

Hlavní vlastnosti:

1. Odolnost proti oxidaci za vysokých teplot:

Odolnost proti oxidaci je stále velmi dobrá, i když teplota dosáhne 1600 °C.

2. Vysoká čistota: vyrobeno chemickým nanášením z plynné fáze za podmínek chlorace při vysoké teplotě.

3. Odolnost proti erozi: vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.

4. Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.

Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC

Vlastnosti SiC-CVD
Krystalová struktura	Fáze β FCC
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdost	Tvrdost podle Vickerse	2500
Velikost zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99,99995
Tepelná kapacita	J·kg-1 ·K-1	640
Teplota sublimace	℃	2700
Felexurální síla	MPa (RT 4bodový)	415
Youngův modul	Gpa (ohyb 4 bodů, 1300 ℃)	430
Tepelná roztažnost (CTE)	10-6K-1	4,5
Tepelná vodivost	(W/mK)	300