IC monokristalna silicijeva epitaksija

Izpostavljena slika IC monokristalne silicijeve epitaksije

Kratek opis:

Kraj izvora:Kitajska

Kristalna struktura:Faza FCCβ

Gostota:3,21 g/cm3;

Trdota:2500 Vickersov;

Velikost zrn:2~10 μm;

Kemijska čistost:99,99995 %;

Toplotna zmogljivost:640 J·kg-1·K-1;

Temperatura sublimacije:2700 ℃;

Feleksuralna moč:415 MPa (RT 4-točkovni);

Youngov modul:430 Gpa (4-točkovni upogib, 1300 ℃);

Toplotni raztezek (CTE):4,5 × 10⁻⁶⁻¹;

Toplotna prevodnost:300 (W/MK);

Pošljite nam e-pošto Prenesi kot PDF

Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Opis izdelka

Naše podjetje nudi storitve nanašanja SiC prevlek s CVD metodo na površino grafita, keramike in drugih materialov, kjer posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi in dobijo molekule SiC visoke čistosti, ki se nato nanesejo na površino prevlečenih materialov in tvorijo zaščitno plast SIC.

Glavne značilnosti:

1. Odpornost proti oksidaciji pri visokih temperaturah:

Odpornost proti oksidaciji je še vedno zelo dobra, ko temperatura doseže 1600 °C.

2. Visoka čistost: izdelana s kemičnim nanašanjem iz pare pri visokotemperaturnem kloriranju.

3. Odpornost proti eroziji: visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.

4. Odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, soli in organski reagenti.

Glavne specifikacije CVD-SIC prevleke

Lastnosti SiC-CVD
Kristalna struktura	FCC β faza
Gostota	g/cm³	3.21
Trdota	Trdota po Vickersu	2500
Velikost zrn	μm	2~10
Kemijska čistost	%	99,99995
Toplotna kapaciteta	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sublimacije	℃	2700
Feleksuralna moč	MPa (RT 4-točkovna)	415
Youngov modul	Gpa (4-točkovni upogib, 1300 ℃)	430
Toplotni raztezek (CTE)	10-6K-1	4,5
Toplotna prevodnost	(W/mK)	300