Épitaxie de silicium monocristallin pour circuits intégrés

Description courte :

Lieu d'origine :Chine

Structure cristalline :Phase FCCβ

Densité :3,21 g/cm ;

Dureté:2500 Vickers;

Granulométrie :2~10μm ;

Pureté chimique :99,99995 % ;

Capacité thermique :640J·kg-1·K-1;

Température de sublimation :2700℃ ;

Force flexurale :415 MPa (RT 4 points) ;

Module de Young :430 Gpa (pliure à 4 points, 1300℃);

Dilatation thermique (CTE) :4,5 10-6K-1;

Conductivité thermique :300 (W/MK) ;

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Détails du produit

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Description du produit

Notre société propose des services de revêtement SiC par la méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté, molécules déposées sur la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice de SiC.

Caractéristiques principales :

1. Résistance à l'oxydation à haute température :

La résistance à l'oxydation reste très bonne même à des températures atteignant 1600 °C.

2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.

3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.

4. Résistance à la corrosion : acides, bases, sels et réactifs organiques.

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés du SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β de la structure cubique à faces centrées (CFC)
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	μm	2~10
Pureté chimique	%	99,99995
Capacité thermique	J·kg⁻¹·K⁻¹	640
Température de sublimation	℃	2700
Force flexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	GPA (pliure à 4 points, 1300℃)	430
Dilatation thermique (CTE)	10-6K-1	4.5
conductivité thermique	(W/mK)	300