IC монокристална силициева епитаксия

Кратко описание:

Място на произход:Китай

Кристална структура:FCCβ фаза

Плътност:3,21 г/см;

Твърдост:2500 Викерс;

Размер на зърното:2~10μm;

Химическа чистота:99,99995%;

Топлинен капацитет:640 Дж·кг-1·К-1;

Температура на сублимация:2700℃;

Фелексурална сила:415 Mpa (RT 4-точков);

Модул на Юнг:430 Gpa (4pt огъване, 1300℃);

Термично разширение (КТР):4,5 × 10⁻⁶⁻¹;

Топлопроводимост:300 (W/MK);

Изпратете ни имейл Изтегляне като PDF

Детайли за продукта

Етикети на продукти

Описание на продукта

Нашата компания предлага услуги за нанасяне на SiC покритие чрез CVD метод върху повърхността на графит, керамика и други материали, като специални газове, съдържащи въглерод и силиций, реагират при висока температура, за да се получат високочисти SiC молекули. Тези молекули се отлагат върху повърхността на покритите материали, образувайки SIC защитен слой.

Основни характеристики:

1. Устойчивост на окисляване при висока температура:

Устойчивостта на окисляване е все още много добра, когато температурата достигне 1600°C.

2. Висока чистота: произведена чрез химическо отлагане от пари при условия на хлориране при висока температура.

3. Устойчивост на ерозия: висока твърдост, компактна повърхност, фини частици.

4. Устойчивост на корозия: киселини, основи, соли и органични реагенти.

Основни спецификации на CVD-SIC покритието

SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	г/см³	3.21
Твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	Дж·кг-1 ·К-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Фелексурална сила	MPa (RT 4-точкова)	415
Модул на Юнг	Gpa (4pt огъване, 1300℃)	430
Термично разширение (КТР)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300