IC Epitaxy Silisiôma Kristaly Tokana

Sary nasongadina momba ny IC Single-Crystal Silicon Epitaxy

Famaritana fohy:

Toerana niaviana:CHINE

Rafitra kristaly:Dingana FCCβ

Hakitroky:3.21 g/sm;

Hamafin'ny:Vickers 2500;

Haben'ny voamaina:2~10μm;

Fahadiovana simika:99.99995%;

Fahafahana hafanana:640J·kg-1·K-1;

Temperature sublimation:2700℃;

Tanjaky ny felexural:415 Mpa (RT 4-Teboka);

Modulus an'i Young:430 Gpa (fiolahana 4pt, 1300℃);

Fanitarana ny hafanana (CTE):4.5 10-6K-1;

Fitondran-tena mafana:300（W/MK）;

Alefaso mailaka aminay Sintomy amin'ny endrika PDF

Antsipirian'ny vokatra

Marika vokatra

Mombamomba ny vokatra

Manome tolotra fanodinana SiC amin'ny alalan'ny fomba CVD eo amin'ny velaran'ny grafita, seramika ary fitaovana hafa ny orinasanay, mba hahafahan'ny entona manokana misy karbônina sy silikônina mihetsika amin'ny mari-pana avo mba hahazoana molekiola SiC madio avo lenta, izay apetraka eo amin'ny velaran'ny fitaovana voarakotra, ka mamorona sosona fiarovana SIC.

Endri-javatra fototra:

1. Fanoherana ny oksidasiona amin'ny mari-pana avo lenta:

mbola tena tsara ny fanoherana ny oksidasiona na dia avo dia avo aza ny mari-pana hatramin'ny 1600 C.

2. Fahadiovana avo lenta: vita amin'ny fametrahana etona simika ao anatin'ny fepetra klôro amin'ny mari-pana avo.

3. Fanoherana ny fahasimbana: hamafin'ny tany avo, velarana matevina, poti-javatra madinika.

4. Fanoherana ny harafesina: asidra, alkali, sira ary akora organika.

Ireo toetra mampiavaka ny CVD-SIC Coating

Toetra SiC-CVD
Rafitra kristaly	Dingana FCC β
hakitroky	g/sm³	3.21
hamafin'ny	Hamafin'ny Vickers	2500
Haben'ny voamaina	μm	2~10
Fahadiovana simika	%	99.99995
Fahafahana mafana	J·kg-1 ·K-1	640
Temperature Sublimation	℃	2700
Tanjaka Felexural	MPa (RT 4-teboka)	415
Modulus an'ny Young	Gpa (fiolahana 4pt, 1300℃)	430
Fanitarana ny hafanana (CTE)	10-6K-1	4.5
Fitondran-tena mafana	(W/mK)	300