IC monokristalinė silicio epitaksija

IC monokristalinio silicio epitaksijos paveikslėlis

Trumpas aprašymas:

Kilmės vieta:Kinija

Kristalinė struktūra:FCCβ fazė

Tankis:3,21 g/cm³;

Kietumas:2500 Vikerso;

Grūdų dydis:2–10 μm;

Cheminis grynumas:99,99995 %;

Šilumos talpa:640 J·kg⁻¹·K⁻¹;

Sublimacijos temperatūra:2700 ℃;

Flexural stiprumas:415 MPa (RT 4 taškų);

Youngo modulis:430 Gpa (4 taškų lenkimas, 1300 ℃);

Šiluminis plėtimasis (CTE):4,5 10-6K-1;

Šilumos laidumas:300 (W/MK);

Siųskite mums el. laišką Atsisiųsti kaip PDF

Produkto informacija

Produkto žymės

Produkto aprašymas

Mūsų įmonė teikia SiC dengimo paslaugas CVD metodu grafito, keramikos ir kitų medžiagų paviršiams, kai specialios dujos, kurių sudėtyje yra anglies ir silicio, reaguoja aukštoje temperatūroje ir gauna didelio grynumo SiC molekules, kurios nusėda ant dengtų medžiagų paviršiaus ir sudaro SIC apsauginį sluoksnį.

Pagrindinės savybės:

1. Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje:

Atsparumas oksidacijai išlieka labai geras, kai temperatūra siekia 1600 °C.

2. Didelis grynumas: pagamintas cheminio garų nusodinimo būdu esant chloravimui aukštoje temperatūroje.

3. Atsparumas erozijai: didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.

4. Atsparumas korozijai: rūgštims, šarmams, druskoms ir organiniams reagentams.

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos

SiC-CVD savybės
Kristalinė struktūra	FCC β fazė
Tankis	g/cm³	3.21
Kietumas	Vikerso kietumas	2500
Grūdų dydis	μm	2–10
Cheminis grynumas	%	99.99995
Šilumos talpa	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimacijos temperatūra	℃	2700
Flexural stiprumas	MPa (RT 4 taškų)	415
Youngo modulis	Gpa (4pt lenkimas, 1300 ℃)	430
Šiluminis plėtimasis (CTE)	10-6K-1	4.5
Šilumos laidumas	(W/mK)	300