IC monokristāla silīcija epitaksija

Īss apraksts:

Izcelsmes vieta:Ķīna

Kristāla struktūra:FCCβ fāze

Blīvums:3,21 g/cm³;

Cietība:2500 Vikera skalas;

Graudu izmērs:2~10 μm;

Ķīmiskā tīrība:99,99995%;

Siltuma jauda:640 J·kg-1·K-1;

Sublimācijas temperatūra:2700 ℃;

Fleksurālais spēks:415 MPa (RT 4 punktu);

Janga modulis:430 Gpa (4pt līkums, 1300 ℃);

Termiskā izplešanās (CTE):4,5 10-6K-1;

Siltumvadītspēja:300 (W/MK);

Sūtiet mums e-pastu Lejupielādēt kā PDF

Produkta informācija

Produkta tagi

Produkta apraksts

Mūsu uzņēmums nodrošina SiC pārklāšanas procesa pakalpojumus, izmantojot CVD metodi grafīta, keramikas un citu materiālu virsmām, lai īpašas gāzes, kas satur oglekli un silīciju, reaģētu augstā temperatūrā, iegūstot augstas tīrības pakāpes SiC molekulas, molekulas nogulsnējas uz pārklāto materiālu virsmas, veidojot SIC aizsargslāni.

Galvenās iezīmes:

1. Augstas temperatūras oksidēšanās izturība:

Oksidācijas izturība joprojām ir ļoti laba, ja temperatūra sasniedz pat 1600 °C.

2. Augsta tīrība: iegūta ar ķīmisku tvaiku nogulsnēšanos augstas temperatūras hlorēšanas apstākļos.

3. Izturība pret eroziju: augsta cietība, kompakta virsma, smalkas daļiņas.

4. Korozijas izturība: skābes, sārmi, sāls un organiskie reaģenti.

CVD-SIC pārklājuma galvenās specifikācijas

SiC-CVD īpašības
Kristāla struktūra	FCC β fāze
Blīvums	g/cm³	3.21
Cietība	Vikersa cietība	2500
Graudu izmērs	μm	2–10
Ķīmiskā tīrība	%	99,99995
Siltuma jauda	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimācijas temperatūra	℃	2700
Felexurālais spēks	MPa (RT 4 punktu)	415
Janga modulis	Gpa (4pt līkums, 1300 ℃)	430
Termiskā izplešanās (CTE)	10-6K-1	4.5
Siltumvadītspēja	(W/mK)	300