IC monokristāla silīcija epitaksija

Produkta apraksts

Mūsu uzņēmums nodrošina SiC pārklāšanas procesa pakalpojumus, izmantojot CVD metodi grafīta, keramikas un citu materiālu virsmām, lai īpašas gāzes, kas satur oglekli un silīciju, reaģētu augstā temperatūrā, iegūstot augstas tīrības pakāpes SiC molekulas, molekulas nogulsnējas uz pārklāto materiālu virsmas, veidojot SIC aizsargslāni.

Galvenās iezīmes:

1. Augstas temperatūras oksidēšanās izturība:

Oksidācijas izturība joprojām ir ļoti laba, ja temperatūra sasniedz pat 1600 °C.

2. Augsta tīrība: iegūta ar ķīmisku tvaiku nogulsnēšanos augstas temperatūras hlorēšanas apstākļos.

3. Izturība pret eroziju: augsta cietība, kompakta virsma, smalkas daļiņas.

4. Korozijas izturība: skābes, sārmi, sāls un organiskie reaģenti.

CVD-SIC pārklājuma galvenās specifikācijas