IC ସିଙ୍ଗଲ୍-କ୍ରିଷ୍ଟାଲ୍ ସିଲିକନ୍ ଏପିଟାକ୍ସି

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଉତ୍ପତ୍ତି ସ୍ଥାନ:ଚୀନ୍

ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ :FCCβ ପର୍ଯ୍ୟାୟ

ଘନତ୍ୱ :୩.୨୧ ଗ୍ରାମ/ସେମି;

କଠିନତା:୨୫୦୦ ଭିକର;

ଶସ୍ୟ ଆକାର :୨~୧୦ମାଇକ୍ରୋମିଟର;

ରାସାୟନିକ ବିଶୁଦ୍ଧତା:୯୯.୯୯୯୯୫%;

ତାପ କ୍ଷମତା :୬୪୦J·kg-୧·K-୧;

ଉତ୍ତପ୍ତକରଣ ତାପମାତ୍ରା :୨୭୦୦ ℃;

ଫେଲେକ୍ସୁରଲ୍ ଶକ୍ତି:୪୧୫ ଏମପିଏ (ଆର୍ଟି ୪-ପଏଣ୍ଟ);

ୟଙ୍ଗଙ୍କ ମଡ୍ୟୁଲସ୍ :୪୩୦ Gpa (୪pt ବଙ୍କା, ୧୩୦୦℃);

ତାପଜ ବିସ୍ତାର (CTE) :୪.୫ ୧୦-୬କେ-୧;

ତାପଜ ପରିବାହିତା:300 (ୱାଟ୍/ଏମକେ);

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ଉତ୍ପାଦ ବର୍ଣ୍ଣନା

ଆମର କମ୍ପାନୀ ଗ୍ରାଫାଇଟ୍, ସେରାମିକ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ CVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ୱାରା SiC ଆବରଣ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସେବା ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯାହା ଫଳରେ କାର୍ବନ ଏବଂ ସିଲିକନ୍ ଯୁକ୍ତ ବିଶେଷ ଗ୍ୟାସଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରାରେ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରି ଉଚ୍ଚ ଶୁଦ୍ଧତା SiC ଅଣୁ, ଆବରଣଯୁକ୍ତ ସାମଗ୍ରୀର ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥିବା ଅଣୁଗୁଡ଼ିକ SIC ସୁରକ୍ଷା ସ୍ତର ଗଠନ କରେ।

ମୁଖ୍ୟ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:

1. ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ଅକ୍ସିଡେସନ ପ୍ରତିରୋଧ:

୧୬୦୦ ସେଲସିୟସ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ତାପମାତ୍ରା ଥିଲେ ମଧ୍ୟ ଅକ୍ସିଡେସନ ପ୍ରତିରୋଧ ବହୁତ ଭଲ ରହିଥାଏ।

2. ଉଚ୍ଚ ବିଶୁଦ୍ଧତା: ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା କ୍ଲୋରିନେସନ ଅବସ୍ଥାରେ ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ।

3. କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଉଚ୍ଚ କଠୋରତା, ସଂକୁଚିତ ପୃଷ୍ଠ, ସୂକ୍ଷ୍ମ କଣିକା।

୪. କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ: ଏସିଡ୍, କ୍ଷାର, ଲୁଣ ଏବଂ ଜୈବ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାକାରୀ।

CVD-SIC ଆବରଣର ମୁଖ୍ୟ ବିଶେଷତା

SiC-CVD ଗୁଣଧର୍ମ
ସ୍ଫଟିକ ଗଠନ	FCC β ପର୍ଯ୍ୟାୟ
ଘନତ୍ୱ	ଗ୍ରାମ/ସେମି ³	୩.୨୧
କଠିନତା	ଭିକରସ୍ କଠୋରତା	୨୫୦୦
ଶସ୍ୟ ଆକାର	μମି	୨~୧୦
ରାସାୟନିକ ବିଶୁଦ୍ଧତା	%	୯୯.୯୯୯୯୫
ତାପ କ୍ଷମତା	ଜେ·କେଜି-୧ ·କେ-୧	୬୪୦
ଉତ୍ତପ୍ତକରଣ ତାପମାତ୍ରା	℃	୨୭୦୦
ଫେଲେକ୍ସୁରଲ୍ ଶକ୍ତି	MPa (RT 4-ପଏଣ୍ଟ)	୪୧୫
ୟଙ୍ଗସ୍ ମଡ୍ୟୁଲସ୍	Gpa (୪ ପଏଣ୍ଟ ବଙ୍କା, ୧୩୦୦ ℃)	୪୩୦
ତାପଜ ବିସ୍ତାର (CTE)	୧୦-୬କେ-୧	୪.୫
ତାପଜ ପରିବାହୀତା	(ୱାଟ୍/ମାଲିକେ)	୩୦୦