Descrizione del prodotto
La nostra azienda offre servizi di rivestimento in SiC tramite metodo CVD sulla superficie di grafite, ceramica e altri materiali. In questo processo, speciali gas contenenti carbonio e silicio reagiscono ad alta temperatura per ottenere molecole di SiC ad elevata purezza, che si depositano sulla superficie dei materiali rivestiti, formando uno strato protettivo di SiC.
Caratteristiche principali:
1. Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura:
La resistenza all'ossidazione rimane molto buona anche a temperature elevate, fino a 1600 °C.
2. Elevata purezza: prodotto mediante deposizione chimica da fase vapore in condizioni di clorazione ad alta temperatura.
3. Resistenza all'erosione: elevata durezza, superficie compatta, particelle fini.
4. Resistenza alla corrosione: acidi, alcali, sali e reagenti organici.
Principali caratteristiche del rivestimento CVD-SIC
| Proprietà del SiC-CVD | ||
| Struttura cristallina | Fase β FCC | |
| Densità | g/cm³ | 3.21 |
| Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
| Dimensione del grano | μm | 2~10 |
| Purezza chimica | % | 99,99995 |
| Capacità termica | J·kg⁻¹·K⁻¹ | 640 |
| Temperatura di sublimazione | °C | 2700 |
| Forza flessoria | MPa (RT a 4 punti) | 415 |
| Modulo di Young | Gpa (piegamento a 4 punti, 1300℃) | 430 |
| Dilatazione termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| conducibilità termica | (W/mK) | 300 |
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