उत्पादनाचे वर्णन
आमची कंपनी ग्रॅफाइट, सिरॅमिक्स आणि इतर पदार्थांच्या पृष्ठभागावर CVD पद्धतीने SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवा प्रदान करते, ज्यामध्ये कार्बन आणि सिलिकॉन असलेले विशेष वायू उच्च तापमानावर अभिक्रिया करून उच्च शुद्धतेचे SiC रेणू मिळवतात, हे रेणू लेपित पदार्थांच्या पृष्ठभागावर जमा होऊन SiC संरक्षक थर तयार करतात.
मुख्य वैशिष्ट्ये:
१. उच्च तापमानातील ऑक्सिडेशनला प्रतिकारशक्ती:
१६०० अंश सेल्सियस इतक्या उच्च तापमानातही ऑक्सिडेशनला प्रतिकार करण्याची क्षमता खूप चांगली असते.
२. उच्च शुद्धता : उच्च तापमानाच्या क्लोरीनीकरण परिस्थितीत रासायनिक बाष्प निक्षेपणाद्वारे बनवलेले.
३. झीज प्रतिरोध: उच्च कठीणपणा, घट्ट पृष्ठभाग, बारीक कण.
४. क्षरण प्रतिरोध: आम्ल, अल्कली, क्षार आणि सेंद्रिय अभिकर्मक.
सीव्हीडी-एसआयसी कोटिंगची मुख्य वैशिष्ट्ये
| SiC-CVD गुणधर्म | ||
| स्फटिक रचना | एफसीसी β फेज | |
| घनता | ग्रॅम/सेमी³ | ३.२१ |
| कठोरता | विकर्स कठीणपणा | २५०० |
| धान्याचा आकार | μm | २~१० |
| रासायनिक शुद्धता | % | ९९.९९९९५ |
| उष्णता क्षमता | ज·किलोग्रॅम-१ ·के-१ | ६४० |
| ऊर्ध्वपातन तापमान | ℃ | २७०० |
| फेलेक्सुरल स्ट्रेंथ | एमपीए (आरटी ४-पॉइंट) | ४१५ |
| यंगचा मापांक | जीपीए (४-पॉइंट बेंड, १३००℃) | ४३० |
| औष्णिक प्रसरण (CTE) | १०-६के-१ | ४.५ |
| औष्णिक वाहकता | (डब्ल्यू/एमके) | ३०० |
-
१००० वॅट हायड्रोजन फ्युएल सेल २४ व्होल्ट पीईएमएफसी स्टॅक हायड्रोजन...
-
औष्णिक इन्सुलेशनसाठी ग्राफाइट फेल्ट विक्रीसाठी उपलब्ध आहे.
-
अति-पातळ टँटलम कार्बाइड लेप: सुधारणा करतो...
-
प्रयोगशाळेसाठी सानुकूलित ग्लास कार्बन क्रुसिबल...
-
सोने शुद्धीकरणाची कार्यक्षमता सुधारा, उच्च गुणवत्ता...
-
प्लॅटिनम-लेपित टायटॅनियम पीईएम इलेक्ट्रोलाइटिक सेल...











