Epitaxia de silício monocristalino para circuitos integrados

Imagem em destaque: Epitaxia de silício monocristalino em circuitos integrados

Descrição resumida:

Local de origem:China

Estrutura cristalina:Fase FCCβ

Densidade:3,21 g/cm;

Dureza:2500 Vickers;

Tamanho do grão:2~10μm;

Pureza química:99,99995%;

Capacidade térmica:640J·kg-1·K-1;

Temperatura de sublimação:2700℃;

Força flexural femoral:415 MPa (RT 4-Point);

Módulo de Young:430 GPa (curvatura de 4 pontos, 1300℃);

Dilatação Térmica (CTE):4,5 10-6K-1;

Condutividade térmica:300 (W/MK);

Envie-nos um e-mail Baixar como PDF

Detalhes do produto

Etiquetas do produto

Descrição do produto

Nossa empresa oferece serviços de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais. Nesse processo, gases especiais contendo carbono e silício reagem em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, que são depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando uma camada protetora de SiC.

Principais características:

1. Resistência à oxidação em altas temperaturas:

A resistência à oxidação permanece muito boa mesmo quando a temperatura atinge 1600 °C.

2. Alta pureza: produzido por deposição química de vapor sob condições de cloração em alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sais e reagentes orgânicos.

Principais especificações do revestimento CVD-SiC

Propriedades do SiC-CVD
Estrutura cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza química	%	99,99995
Capacidade térmica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimação	℃	2700
Força flexural	MPa (RT 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (flexão de 4 pontos, 1300℃)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4,5
Condutividade térmica	(W/mK)	300