IC бір кристалды кремний эпитаксиясы

Қысқаша сипаттама:

Шыққан жері:Қытай

Кристалдық құрылым:FCCβ фазасы

Тығыздық:3,21 г/см³;

Қаттылық:2500 Виккерс;

Дән мөлшері:2~10 мкм;

Химиялық тазалық:99.99995%;

Жылу сыйымдылығы:640 Дж·кг-1·К-1;

Сублимация температурасы:2700℃;

Фелексуральды күш:415 МПа (RT 4-нүктелік);

Янг модулі:430 ГПа (4pt иілу, 1300℃);

Жылулық кеңею (ТКК):4.5 10-6K-1;

Жылу өткізгіштік:300 (W/MK);

Бізге электрондық пошта жіберіңіз PDF форматында жүктеп алу

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Өнім сипаттамасы

Біздің компания графит, керамика және басқа материалдардың бетінде CVD әдісімен SiC жабындысын өңдеу қызметтерін ұсынады, осылайша көміртегі мен кремнийді қамтитын арнайы газдар жоғары температурада әрекеттесіп, жоғары тазалықтағы SiC молекулаларын, яғни жабынды материалдардың бетінде жиналатын молекулаларды, SIC қорғаныс қабатын түзеді.

Негізгі ерекшеліктері:

1. Жоғары температурадағы тотығуға төзімділік:

Температура 1600°C дейін жеткенде де тотығуға төзімділік өте жақсы болады.

2. Жоғары тазалық: жоғары температуралы хлорлау жағдайында химиялық бумен тұндыру арқылы жасалған.

3. Эрозияға төзімділік: жоғары қаттылық, тығыз беті, ұсақ бөлшектер.

4. Коррозияға төзімділік: қышқыл, сілті, тұз және органикалық реагенттер.

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары

SiC-CVD қасиеттері
Кристалдық құрылым	FCC β фазасы
Тығыздық	г/см³	3.21
Қаттылық	Виккерс қаттылығы	2500
Дән мөлшері	мкм	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	J·kg-1 ·K-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Фексуральды күш	МПа (RT 4-нүктелік)	415
Янг модулі	Gpa (4pt иілу, 1300℃)	430
Жылулық кеңею (ТКК)	10-6K-1	4.5
Жылу өткізгіштігі	(Вт/мК)	300