Эпитаксия монокристаллического кремния для интегральных схем

Описание продукта

Наша компания предоставляет услуги по нанесению SiC-покрытий методом CVD на поверхность графита, керамики и других материалов. В результате реакции специальных газов, содержащих углерод и кремний, при высокой температуре образуются молекулы SiC высокой чистоты, которые затем осаждаются на поверхности покрываемых материалов, формируя защитный слой SiC.

Основные характеристики:

1. Высокая термостойкость к окислению:

Стойкость к окислению остается очень хорошей даже при температуре 1600 °C.

2. Высокая чистота: получено методом химического осаждения из газовой фазы в условиях высокотемпературного хлорирования.

3. Эрозионная стойкость: высокая твердость, плотная поверхность, мелкий размер частиц.

4. Коррозионная стойкость: к кислотам, щелочам, солям и органическим реагентам.

Основные характеристики CVD-SIC покрытия