نمو السيليكون أحادي البلورة في الدوائر المتكاملة

صورة مميزة لتقنية الترسيب الطبقي للسيليكون أحادي البلورة في الدوائر المتكاملة

وصف مختصر:

مكان المنشأ:الصين

التركيب البلوري:طور FCCβ

كثافة :3.21 جم/سم؛

صلابة:2500 فيكرز؛

حجم الحبوب:2~10 ميكرومتر؛

النقاء الكيميائي:99.99995%؛

السعة الحرارية:640 جول/كجم/كلفن؛

درجة حرارة التسامي:2700 درجة مئوية؛

قوة الانثناء:415 ميجا باسكال (RT 4-Point)؛

معامل يونغ:430 جيجا باسكال (انحناء 4 نقاط، 1300 درجة مئوية)؛

التمدد الحراري (CTE):4.5 10-6K-1؛

الموصلية الحرارية:300 (واط/كلفن)؛

أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا قم بالتنزيل كملف PDF

تفاصيل المنتج

علامات المنتج

وصف المنتج

تقدم شركتنا خدمات عملية طلاء SiC بطريقة الترسيب الكيميائي للبخار على سطح الجرافيت والسيراميك والمواد الأخرى، بحيث تتفاعل غازات خاصة تحتوي على الكربون والسيليكون عند درجة حرارة عالية للحصول على جزيئات SiC عالية النقاء، وتترسب هذه الجزيئات على سطح المواد المطلية، لتشكل طبقة واقية من SiC.

الميزات الرئيسية:

1. مقاومة الأكسدة في درجات الحرارة العالية:

تظل مقاومة الأكسدة جيدة جدًا حتى عندما تصل درجة الحرارة إلى 1600 درجة مئوية.

2. نقاء عالٍ: مصنوع عن طريق الترسيب الكيميائي للبخار في ظل ظروف الكلورة ذات درجة الحرارة العالية.

3. مقاومة التآكل: صلابة عالية، سطح متراص، جزيئات دقيقة.

4. مقاومة التآكل: الأحماض، والقلويات، والأملاح، والكواشف العضوية.

المواصفات الرئيسية لطلاء CVD-SIC

خصائص SiC-CVD
البنية البلورية	الطور β ذو التركيب المكعب المتمركز على الوجوه
كثافة	جم/سم³	3.21
صلابة	صلابة فيكرز	2500
حجم الحبوب	ميكرومتر	2~10
النقاء الكيميائي	%	99.99995
السعة الحرارية	جول/كجم/كلفن	640
درجة حرارة التسامي	درجة مئوية	2700
قوة الانثناء	ميجا باسكال (RT 4-point)	415
معامل يونغ	Gpa (انحناء 4 نقاط، 1300 درجة مئوية)	430
التمدد الحراري (CTE)	10-6K-1	4.5
الموصلية الحرارية	(واط/متر كلفن)	300