Επιταξία πυριτίου μονοκρυστάλλου IC

Περιγραφή προϊόντος

Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες επικάλυψης SiC με τη μέθοδο CVD στην επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να λάβουν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, τα οποία εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών, σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC.

Κύρια χαρακτηριστικά:

1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:

Η αντοχή στην οξείδωση παραμένει πολύ καλή όταν η θερμοκρασία φτάσει τους 1600°C.

2. Υψηλή καθαρότητα: παρασκευάζεται με χημική εναπόθεση ατμών υπό συνθήκες χλωρίωσης σε υψηλή θερμοκρασία.

3. Αντίσταση στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.

4. Αντοχή στη διάβρωση: όξινα, αλκαλικά, αλατισμένα και οργανικά αντιδραστήρια.

Κύριες προδιαγραφές της επίστρωσης CVD-SIC