IC Eenkristall-Silizium-Epitaxie

Kuerz Beschreiwung:

Ursprungsplaz:China

Kristallstruktur:FCCβ Phase

Dicht:3,21 g/cm²;

Härkeet:2500 Vickers;

Kärgréisst:2~10μm;

Chemesch Rengheet:99,99995%;

Hëtztkapazitéit:640J·kg-1·K-1;

Sublimatiounstemperatur:2700 ℃;

Felexural Stäerkt:415 MPa (RT 4-Punkt);

Young säi Modul:430 Gpa (4pt Biegung, 1300℃);

Thermesch Expansioun (CTE):4,5 10-6K-1;

Wärmeleitfäegkeet:300 (W/MK);

Schéckt eis eng E-Mail Als PDF eroflueden

Produktdetailer

Produkt Tags

Produktbeschreiwung

Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mam CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gaser, déi Kuelestoff a Silizium enthalen, bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden.

Haaptmerkmale:

1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen:

D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt bei Temperaturen bis zu 1600 °C.

2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.

3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.

4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.

Haaptspezifikatioune vun der CVD-SIC Beschichtung

SiC-CVD Eegeschaften
Kristallstruktur	FCC β Phase
Dicht	g/cm³	3.21
Häert	Vickers-Härkeet	2500
Kärengréisst	μm	2~10
Chemesch Rengheet	%	99.99995
Hëtztkapazitéit	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimatiounstemperatur	℃	2700
Felexural Stäerkt	MPa (RT 4-Punkt)	415
Young säi Modul	Gpa (4pt Biegung, 1300℃)	430
Thermesch Expansioun (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfäegkeet	(W/mK)	300