IC епитаксија со еден кристален силициум

Претставена слика од IC еднокристална силиконска епитаксија

Краток опис:

Место на потекло:Кина

Кристална структура:FCCβ фаза

Густина:3,21 g/cm;

Тврдост:2500 Викерс;

Големина на зрно:2~10μm;

Хемиска чистота:99,99995%;

Топлински капацитет:640J·kg-1·K-1;

Температура на сублимација:2700℃;

Флексурална јачина:415 Mpa (RT 4-точка);

Јангов модул:430 Gpa (свиткување од 4pt, 1300℃);

Термичка експанзија (CTE):4,5 10-6K-1;

Топлинска спроводливост:300 (W/MK);

Испратете ни е-пошта Преземи како PDF

Детали за производот

Ознаки на производи

Опис на производот

Нашата компанија нуди услуги за процес на обложување со SiC со CVD метод на површината на графит, керамика и други материјали, така што специјални гасови што содржат јаглерод и силициум реагираат на висока температура за да добијат молекули на SiC со висока чистота, молекули што се таложат на површината на обложените материјали, формирајќи заштитен слој од SIC.

Главни карактеристики:

1. Отпорност на оксидација на висока температура:

Отпорноста на оксидација е сè уште многу добра кога температурата е висока до 1600°C.

2. Висока чистота: направена со хемиско таложење на пареа под услови на хлорирање на висока температура.

3. Отпорност на ерозија: висока тврдост, компактна површина, фини честички.

4. Отпорност на корозија: киселина, алкали, сол и органски реагенси.

Главни спецификации на CVD-SIC премазот

SiC-CVD својства
Кристална структура	FCC β фаза
Густина	g/cm³	3.21
Тврдост	Викерсовата тврдост	2500
Големина на зрно	μm	2~10
Хемиска чистота	%	99.99995
Топлински капацитет	J·kg-1 ·K-1	640
Температура на сублимација	℃	2700
Флексурална јачина	MPa (RT 4-точка)	415
Јангов модул	Gpa (свиткување од 4 точки, 1300℃)	430
Термичка експанзија (CTE)	10-6K-1	4,5
Топлинска спроводливост	(W/mK)	300