IC Bir Kristally Silikon Epitaksiýasy

Gysgaça düşündiriş:

Gelip çykan ýeri:Hytaý

Kristal gurluşy:FCCβ fazasy

Dykyzlyk:3,21 g/sm3;

Gatylyk:2500 Wikers;

Dänäniň ölçegi:2~10μm;

Himiki arassalyk:99.99995%;

Ýylylyk kuwwaty:640J·kg-1·K-1;

Sublimasiýa temperaturasy:2700℃;

Fleksural Güýç:415 Mpa (RT 4-Point);

Ýangyň moduly:430 Gpa (4pt egilme, 1300℃);

Termal giňelme (TGG):4.5 10-6K-1;

Ýylylyk geçirijiligi:300 (W/MK);

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

Önümiň düşündirişi

Kompaniýamyz grafit, keramika we beýleki materiallaryň ýüzünde CVD usuly bilen SiC örtük proses hyzmatlaryny hödürleýär, şonuň üçin uglerod we kremniý saklaýan ýörite gazlar ýokary temperaturada reaksiýa girip, ýokary arassalykdaky SiC molekulalaryny, ýagny örtülen materiallaryň ýüzünde ýerleşdirilen molekulalary, SIC gorag gatlagyny emele getirýär.

Esasy aýratynlyklar:

1. Ýokary temperatura oksidlenme garşylygy:

temperatura 1600 C çenli ýokary bolanda hem oksidlenme garşylygy örän gowy bolýar.

2. Ýokary arassalyk: ýokary temperatura hlorlamak şertinde himiki bug çökündisi arkaly ýasalýar.

3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýüz, ownuk bölejikler.

4. Korroziýa garşylygy: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

CVD-SIC örtüginiň esasy aýratynlyklary

SiC-CVD aýratynlyklary
Kristal gurluşy	FCC β fazasy
Dykyzlyk	g/sm³	3.21
Gatylyk	Wickers gatylygy	2500
Däne ölçegi	μm	2~10
Himiki arassalyk	%	99.99995
Yssylyk kuwwaty	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimasiýa temperaturasy	℃	2700
Fleksural güýç	MPa (RT 4-nokat)	415
Ýaşyň moduly	Gpa (4pt bükülme, 1300℃)	430
Termal giňelme (TGG)	10-6K-1	4.5
Ýylylyk geçirijiligi	(W/mK)	300