IC egykristályos szilícium-epitaxia

Rövid leírás:

Származási hely:Kína

Kristályszerkezet:FCCβ fázis

Sűrűség:3,21 g/cm³;

Keménység:2500 Vickers;

Szemcseméret:2~10 μm;

Kémiai tisztaság:99,99995%;

Hőkapacitás:640 J·kg⁻¹·K⁻¹;

Szublimációs hőmérséklet:2700 ℃;

Hajlítóerő:415 MPa (RT 4-pontos);

Young modulusa:430 Gpa (4 pontos hajlítás, 1300 ℃);

Hőtágulás (CTE):4,5 10-6K-1;

Hővezető képesség:300 (W/MK);

Küldjön nekünk e-mailt Letöltés PDF-ként

Termék részletei

Termékcímkék

Termékleírás

Cégünk CVD módszerrel végez SiC bevonatolási eljárást grafit, kerámiák és más anyagok felületén, melynek során speciális, szenet és szilíciumot tartalmazó gázok magas hőmérsékleten reagálva nagy tisztaságú SiC molekulákat hoznak létre, amelyek a bevont anyagok felületére rakódnak le, SIC védőréteget képezve.

Főbb jellemzők:

1. Magas hőmérsékletű oxidációs ellenállás:

Az oxidációs ellenállás még 1600 °C hőmérsékleten is nagyon jó.

2. Nagy tisztaságú: kémiai gőzfázisú leválasztással, magas hőmérsékletű klórozási körülmények között állítják elő.

3. Erózióállóság: nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.

4. Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.

A CVD-SIC bevonat főbb jellemzői

SiC-CVD tulajdonságok
Kristályszerkezet	FCC β fázis
Sűrűség	g/cm³	3.21
Keménység	Vickers-keménység	2500
Szemcseméret	μm	2~10
Kémiai tisztaság	%	99.99995
Hőkapacitás	J·kg-1 ·K-1	640
Szublimációs hőmérséklet	℃	2700
Felexurális erő	MPa (RT 4-pontos)	415
Young modulusa	Gpa (4 pontos hajlítás, 1300 ℃)	430
Hőtágulás (CTE)	10-6K-1	4.5
Hővezető képesség	(W/mK)	300