ICP-etsauskantaja

Lyhyt kuvaus:

Alkuperäpaikka:Kiina

Kristallirakenne:FCCβ-vaihe

Tiheys:3,21 g/cm³;

Kovuus:2500 Vickersiä;

Viljan koko:2–10 μm;

Kemiallinen puhtaus:99,99995 %;

Lämmityskapasiteetti:640 J·kg⁻¹·K⁻¹;

Sublimaatiolämpötila:2700 ℃;

Flexuraalinen lujuus:415 MPa (RT 4-piste);

Youngin moduuli:430 Gpa (4pt mutka, 1300 ℃);

Lämpölaajeneminen (CTE):4,5 10-6K-1;

Lämmönjohtavuus:300 (W/MK);

Lähetä meille sähköpostia Lataa PDF-tiedostona

Tuotetiedot

Tuotetunnisteet

Tuotekuvaus

Yrityksemme tarjoaa SiC-pinnoituspalveluita CVD-menetelmällä grafiitin, keraamien ja muiden materiaalien pinnalle. Pinnoitusprosessissa hiiltä ja piitä sisältävät erityiset kaasut reagoivat korkeassa lämpötilassa ja tuottavat erittäin puhtaita SiC-molekyylejä. Nämä molekyylit kerrostuvat pinnoitettujen materiaalien pinnalle ja muodostavat SIC-suojakerroksen.

Tärkeimmät ominaisuudet:

1. Korkean lämpötilan hapettumiskestävyys:

Hapettumiskestävyys on edelleen erittäin hyvä jopa 1600 °C:n lämpötilassa.

2. Korkea puhtausaste: valmistettu kemiallisella höyrypinnoituksella korkean lämpötilan kloorausolosuhteissa.

3. Eroosionkestävyys: korkea kovuus, tiivis pinta, hienot hiukkaset.

4. Korroosionkestävyys: happo, alkali, suola ja orgaaniset reagenssit.

CVD-SIC-pinnoitteen tärkeimmät ominaisuudet

SiC-CVD-ominaisuudet
Kristallirakenne	FCC β-vaihe
Tiheys	g/cm³	3.21
Kovuus	Vickersin kovuus	2500
Raekoko	μm	2–10
Kemiallinen puhtaus	%	99.99995
Lämpökapasiteetti	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimaatiolämpötila	℃	2700
Flexuraalinen voima	MPa (RT 4-piste)	415
Youngin moduuli	Gpa (4pt mutka, 1300 ℃)	430
Lämpölaajeneminen (CTE)	10-6K-1	4.5
Lämmönjohtavuus	(W/mK)	300