ICP Etch Carrier

Deskribapen laburra:

Jatorrizko lekua:Txina

Kristal-egitura:FCCβ fasea

Dentsitatea:3,21 g/cm3;

Gogortasuna:2500 Vicker;

Alearen tamaina:2~10μm;

Purutasun kimikoa:%99,99995;

Bero-ahalmena:640J·kg-1·K-1;

Sublimazio tenperatura:2700℃;

Indar malgukia:415 Mpa (RT 4 puntukoa);

Young-en modulua:430 Gpa (4pt-ko tolestura, 1300℃);

Hedapen Termikoa (HTE):4.5 10-6K-1;

Eroankortasun termikoa:300 (W/MK);

Bidali mezu elektroniko bat guregana Deskargatu PDF gisa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Produktuaren deskribapena

Gure enpresak SiC estaldura prozesu zerbitzuak eskaintzen ditu CVD metodoaren bidez grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean, karbonoa eta silizioa dituzten gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatzen baitute purutasun handiko SiC molekulak lortzeko, estalitako materialen gainazalean metatzen diren molekulak, SIC babes geruza osatuz.

Ezaugarri nagusiak:

1. Tenperatura altuko oxidazio-erresistentzia:

Oxidazioarekiko erresistentzia oso ona da oraindik ere 1600 °C-ko tenperaturan.

2. Purutasun handia: tenperatura altuko klorazio-baldintzetan lurrun kimikoaren bidez egindakoa.

3. Higaduraren aurkako erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.

4. Korrosioarekiko erresistentzia: azidoa, alkalia, gatza eta erreaktibo organikoak.

CVD-SIC estalduraren zehaztapen nagusiak

SiC-CVD propietateak
Kristal-egitura	FCC β fasea
Dentsitatea	g/cm³	3.21
Gogortasuna	Vickers gogortasuna	2500
Alearen tamaina	μm	2~10
Purutasun kimikoa	%	99.99995
Bero-ahalmena	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimazio Tenperatura	℃	2700
Indar malexurala	MPa (RT 4 puntukoa)	415
Young-en modulua	Gpa (4pt-ko tolestura, 1300℃)	430
Hedapen Termikoa (CTE)	10-6K-1	4.5
Eroankortasun termikoa	(W/mK)	300