ICP Etch Carrier

Descriptio Brevis:

Locus Originis:Sina

Structura Crystallina:Phase FCCβ

Densitas:3.21 g/cm³;

Duritia:2500 Vickers;

Magnitudo Grani:2~10μm;

Puritas Chemica:99.99995%;

Capacitas Calorifera:640J·kg⁻¹·K⁻¹;

Temperatura Sublimationis:2700℃;

Robur Feflexurale:415 Mpa (RT 4-Puncta);

Modulus Youngi:430 Gpa (flexura 4pt, 1300℃);

Expansio Thermalis (CTE):4.5 10-6K-1;

Conductivitas Thermalis:300 (W/MK);

Mitte nobis inscriptionem electronicam Deprime ut PDF

Detalia Producti

Etiquettae Productarum

Descriptio Producti

Societas nostra officia processus obductionis SiC per methodum CVD in superficiebus graphiti, ceramicae, aliarumque materiarum praebet, ut gases speciales carbonium et silicium continentes alta temperatura reagant ad moleculas SiC altae puritatis obtinendas, quae moleculae in superficie materiarum obductarum deponuntur, stratum SIC protectivum formantes.

Proprietates principales:

1. Resistentia oxidationis altae temperaturae:

Resistentia oxidationis adhuc optima est cum temperatura usque ad 1600°C alta pervenit.

2. Alta puritas: facta per depositionem vaporis chemici sub condicione chlorinationis altae temperaturae.

3. Resistentia erosionis: alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.

4. Resistentia corrosionis: acidum, alcali, sal et reagentia organica.

Specificationes Principales Tegumentorum CVD-SIC

Proprietates SiC-CVD
Structura Crystallina	FCC phasis beta
Densitas	g/cm³	3.21
Duritia	Durities Vickersiana	2500
Magnitudo Granorum	μm	2~10
Puritas Chemica	%	99.99995
Capacitas Calorifera	J·kg-1 ·K-1	DCXL
Temperatura Sublimationis	Celsius	2700
Robur Feflexurale	MPa (RT 4 punctorum)	415
Modulus Youngi	Gpa (flexura 4pt, 1300℃)	430
Expansio Thermalis (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivitas thermalis	(W/mK)	trecenti