د ICP ایچ کیریر

لنډ معلومات:

د منشاء ځای:چین

د کرسټال جوړښت:د FCCβ مرحله

کثافت:۳.۲۱ ګرامه/سانتي متره؛

سختۍ:۲۵۰۰ ویکرز؛

د غلې دانې اندازه:۲~۱۰μm؛

کیمیاوي پاکوالی:۹۹.۹۹۹۹۵٪؛

د تودوخې ظرفیت:۶۴۰J·kg-۱·K-۱;

د سبلیمیشن تودوخه:۲۷۰۰ ℃؛

د غړو پیاوړتیا:۴۱۵ میګاپټره (RT ۴-پوائنټ)؛

د ځوان ماډول:۴۳۰ جي پي اې (۴ پواينټه کږه، ۱۳۰۰ ℃)؛

د تودوخې پراختیا (CTE):۴.۵ ۱۰-۶ک-۱;

د تودوخې چلښت:۳۰۰ (واټه/مک)؛

موږ ته بریښنالیک واستوئ د PDF په توګه ډاونلوډ کړئ

د محصول تفصیل

د محصول ټګونه

د محصول معلومات

زموږ شرکت د ګرافایټ، سیرامیک او نورو موادو په سطحه د CVD میتود له لارې د SiC کوټینګ پروسې خدمات چمتو کوي، ترڅو ځانګړي ګازونه چې کاربن او سیلیکون لري په لوړه تودوخه کې تعامل وکړي ترڅو د لوړ پاکوالي SiC مالیکولونه ترلاسه کړي، هغه مالیکولونه چې د پوښل شوي موادو په سطحه زیرمه شوي، د SIC محافظتي طبقه جوړوي.

اصلي ځانګړتیاوې:

۱. د لوړې تودوخې اکسیډیشن مقاومت:

کله چې تودوخه تر ۱۶۰۰ سانتي ګراد پورې لوړه وي، د اکسیډیشن مقاومت لاهم خورا ښه وي.

۲. لوړ پاکوالی: د لوړ حرارت کلورینیشن حالت لاندې د کیمیاوي بخاراتو د زیرمو له لارې جوړ شوی.

3. د تخریب مقاومت: لوړ سختی، کمپیکٹ سطح، ښه ذرات.

4. د زنګ وهلو مقاومت: تیزاب، القلي، مالګه او عضوي ریجنټونه.

د CVD-SIC کوټینګ اصلي مشخصات

د SiC-CVD ملکیتونه
د کرسټال جوړښت	د FCC β مرحله
کثافت	ګرامه/سانتي متره ³	۳.۲۱
سختۍ	د ویکرز سختۍ	۲۵۰۰
د غلې دانې اندازه	مایکروم	۲~۱۰
کیمیاوي پاکوالی	%	۹۹.۹۹۹۹۵
د تودوخې ظرفیت	J·kg-1 ·K-1	۶۴۰
د سبلیمیشن تودوخه	℃	۲۷۰۰
د فیلیکسورال ځواک	MPa (RT ۴-پوائنټ)	۴۱۵
د ځوانانو ماډول	جي پي اې (۴ پواینټه کږه، ۱۳۰۰ ℃)	۴۳۰
د حرارتي پراختیا (CTE)	د 10-6K-1 معرفي کول	۴.۵
د تودوخې چالکتیا	(وچ/میلیون کیلو)	۳۰۰