ICP Aşındırma Taşıyıcısı

Kısa Açıklama:

Menşe Yeri:Çin

Kristal Yapısı:FCCβ fazı

Yoğunluk:3,21 g/cm;

Sertlik:2500 Vickers;

Tane Boyutu:2~10 μm;

Kimyasal Saflık:%99,99995;

Isı Kapasitesi:640J·kg-1·K-1;

Süblimasyon Sıcaklığı:2700℃;

Eğilme Kuvveti:415 MPa (RT 4 Nokta);

Young Modülü:430 Gpa (4 noktalı bükme, 1300℃);

Termal Genleşme (CTE):4.5 10-6K-1;

Isı İletkenliği:300 (W/MK);

Bize e-posta gönderin PDF olarak indir

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Ürün Açıklaması

Firmamız, CVD yöntemiyle grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyine SiC kaplama işlemi hizmeti sunmaktadır. Bu yöntemde, karbon ve silikon içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri elde eder ve bu moleküller kaplanmış malzemelerin yüzeyine çökelerek SiC koruyucu tabakası oluşturur.

Başlıca özellikler:

1. Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci:

Sıcaklık 1600°C'ye kadar yükseldiğinde bile oksidasyon direnci hala çok iyidir.

2. Yüksek saflıkta: Yüksek sıcaklıkta klorlama koşulları altında kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle üretilmiştir.

3. Aşınma direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.

4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktiflere karşı.

CVD-SIC Kaplamanın Başlıca Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri
Kristal Yapısı	FCC β fazı
Yoğunluk	g/cm³	3.21
Sertlik	Vickers sertliği	2500
Tane Boyutu	μm	2~10
Kimyasal Saflık	%	99.99995
Isı Kapasitesi	J·kg-1 ·K-1	640
Süblimasyon Sıcaklığı	℃	2700
Eğilme Kuvveti	MPa (RT 4 noktalı)	415
Young Modülü	GPA (4 noktalı büküm, 1300℃)	430
Termal Genleşme (CTE)	10-6K-1	4.5
Isı iletkenliği	(W/mK)	300