ICP Aşındırma Taşıyıcısı

Kısa Açıklama:

Menşei Yeri:Çin

Kristal Yapısı:FCCβ fazı

Yoğunluk:3,21 gr/cm3;

Sertlik :2500 Vickers;

Tane Boyutu :2~10μm;

Kimyasal Saflık :%99,99995;

Isı Kapasitesi:640J·kg-1·K-1;

Süblimleşme Sıcaklığı :2700℃;

Feleksural Güç :415 Mpa (RT 4 Nokta);

Young Modülü:430 Gpa (4pt dirsek, 1300℃);

Isıl Genleşme (CTE):4.5 10-6K-1;

Isıl İletkenlik:300（W/MK）;

Bize e-posta gönderin PDF olarak indir

Ürün Detayı

Ürün Etiketleri

Ürün Açıklaması

Firmamız grafit, seramik ve diğer malzemelerin yüzeyine CVD yöntemi ile SiC kaplama prosesi hizmeti vermekte olup, bu sayede karbon ve silisyum içeren özel gazlar yüksek sıcaklıkta reaksiyona girerek yüksek saflıkta SiC molekülleri elde edilmekte, kaplanmış malzemelerin yüzeyine moleküller çökerek SIC koruyucu tabakası oluşturmaktadır.

Başlıca özellikleri:

1. Yüksek sıcaklık oksidasyon direnci:

Sıcaklık 1600 C'ye kadar çıktığında bile oksidasyon direnci hala çok iyidir.

2. Yüksek saflık: Yüksek sıcaklıkta klorlama koşulu altında kimyasal buhar biriktirme yoluyla üretilmiştir.

3. Erozyon direnci: yüksek sertlik, kompakt yüzey, ince parçacıklar.

4. Korozyon direnci: asit, alkali, tuz ve organik reaktiflere karşı.

CVD-SIC Kaplamanın Ana Özellikleri

SiC-CVD Özellikleri
Kristal Yapısı	FCC β fazı
Yoğunluk	g/cm³	3.21
Sertlik	Vickers sertliği	2500
Tane Boyutu	mikron	2~10
Kimyasal Saflık	%	99.99995
Isı Kapasitesi	J·kg-1 ·K-1	640
Süblimleşme Sıcaklığı	℃	2700
Feleksural Güç	MPa (RT 4 nokta)	415
Young Modülü	Gpa (4pt dirsek, 1300℃)	430
Termal Genleşme (CTE)	10-6K-1	4.5
Isı iletkenliği	(W/mK)	300